WVM57N10场效应晶体管设计实施方案.pdfVIP

· 应用研 究 · WVM57N10场效应晶体管设计实施方案 马继 铭 (卫光科技公司 陕西西安 710065) [摘 要】该产品为 电压控制器件 ，具有输入阻抗高 ，启动功耗小，安全工作区宽 ，温度稳定性好等优点。文章主要阐述 了该产品 的设计方案及思路 。 [关键词】设计方案 场效应管 大 电流 [中图分类号]TN38 文【献标识码】A [文章编号]1007—9416 (2009)10—0153—02 1概述 率和厚度按最小值 的 1．1倍选取 ，元胞尺 烧 结一压焊一平 行缝 焊一 高温贮存一 当今 ，各种 电子设 备都 在 向高性 能 寸按可 以进 行生产 的最小尺寸选取 ，其余 温 度 循环一 电老化一 高温反 偏一 搪锡 一 化 、小型化 、高可靠性方 向发展 。功率场 设 计参数按 以往产 品的常规选取 。 PIND一 检漏一 打印一检验一 包装 ． 效应 晶体管 ，由于兼具高速开关特性 、无 2．2．1 纵 向参数设计 2．4 可靠性方面的考虑 二次击穿等优点，被做为理想 的开关器件 N+抛光硅片：(100)，n型 (掺锑)，0．005- 2．4．1闽值 电压 的稳 定性 取代原来 的双极型晶体管 ，至今 已在军事 0．0I5Q ．cm 氧化层 电荷 密度 强烈影 响 阈值 电压 。 装备领域 中得到广泛应用 。 外延层：n型 (掺磷)，1．5-3．0Q．CiTI， 尤其是可动 电荷 的存在会导致 闽值 电压不 1．1该产 品的主要技 术参数 厚度 13—15um 稳定 。为保证 阈值 电压 的稳定性 ，产 品研 P ：200 W I：57A P+掺杂：表面浓度 1．4×1018cm一，结 制 中可采取如下措 施 ： V(BR)Dss：100V VGS(I 2-4V 深 5．3 m a．栅 氧化采用 TCA氧化 工艺 ，降低 RDs(。)：≤ 0．025o VGsR：±20V p-掺杂：表面浓度 4×10l7cm一，结深 可动 电荷密度 ； 工作温度范围 ：一55 ℃一 125℃ 3．3 u m b．研制批 中加入陪片，逐批进行 CV测 1．2封装外形 N+掺杂：表面浓度 5×10l9cm一，结深 试监 控 1．0 m 2．4．2 表面钝化 场氧化层 ：0．6 m 功 率 M0S晶体管是表面器件 ，表面 的 栅氧化层：8ooA 外来杂质 沾污将造 成器件 的漏 电流增大 、 上层介质：9oooA(1oooA SiN，2oooA 击 穿 电压蠕变或下 降。为 防止上述现象和 PSG，5oooA S，O，) 表面划伤 ，我 们可采取 以下 措施 ： 铝 层 ：4—5 “m (1)在芯片 蒸铝前，采用 SiO2-PSG— 表面钝化层：loooA SiN SI3N4复合保护膜 ，利用