SiC和TiAl扩散连接中界面反应层的成长模型.pdfVIP

　№4　 . 1999 ·试验与研究· W elding T echno logy A ug 1 ( ) 　　文章编号: 1002025X 1999 SiC 与 TiA l 扩散连接中界面反应层的成长模型 刘会杰, 冯吉才, 钱乙余, 李卓然 ( 哈尔滨工业大学 现代焊接生产技术国家重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150001) 摘要: 对 SiC 陶瓷与T iA l 金属间化合物进行了真空扩散连接, 提出了界面反应层的成长模型, 并在试验结果的基础上 给出了模型的具体表达式, 为控制接头的界面结构进而改善接头的性能提供了理论依据。 关键词: SiC; T iA l; 扩散连接; 界面反应; 成长模型 中图分类号: T G407　　　文献标识码: B 　　SiC 陶瓷和 T iA l 金属间化合物都具有密度小、高 一片云母, 以防止SiC 与加压棒连接在一起。 温力学性能好和抗氧化等特性, 是很有发展前途的高 采用电阻辐射加热方式进行扩散连接, 具体连接 - 3 温结构材料, 可望在航空航天等领域获得广泛应 工艺参数: 真空度为 66 ×10 Pa , 连接压力 35 M Pa , [1、2 ] 升温速度 T = 30 , 连接温度 T = 1 573 , 连接 用 。若将SiC 与 T iA l 连接在一起使用, 既可满足高 r K m in K 时间 = 1 8～ 28 8 , 降温速度 = 20 。 温性能的要求, 又可实现构件的制造。但由于二者在物 t k s T d K m in 化性质和力学性质方面存在很大差异, 很难采用常规 13　测试分析 将用于反应层厚度测试的 接头用 102 胶 的熔焊方法实现连接, 可选用的适宜方法只有扩散连 SiC T iA l [1 ] 镶好, 用金刚石砂轮片沿 的轴截面切开, 并用金刚 接和钎焊, 并以扩散连接为首选 。在以往关于SiC 陶 SiC ( ) 瓷与金属扩散连接的研究中, 所采用的金属多为纯金 石研磨膏 粒度顺序为 30→15→3 5→0 5 m 进行表 属, 如 T i[3 ] , T a [4 ] 和N b [5 ] 等。这种由 SiC 陶瓷与纯金 面抛光, 采用质量分数为 0 5% 的H F 溶液进行腐蚀, 属组成的接头, 其实际应用有一