Ag掺杂对ZnO薄膜光电性能影响.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第3期 发 光 学 报 Vo1．29 No．3 2008年6月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Jun．，2008 文章编号：1000-7032(2008)03-0460-05 Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响 王经纬，边继明 ，梁红伟，孙景昌，赵涧泽，杜国同 (大连理工大学三束材料改性国家重点实验室及物理与光电工程学院，辽宁大连 116024) 摘要：采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体，以硝酸银水溶液为Ag掺杂源，以高 纯O 为载气生长了Ag掺杂ZnO(ZnO：Ag)薄膜。研究了Ag掺杂ZnO薄膜的表面结构、电学和光学性质。 结果表明所得ZnO：Ag薄膜表面结构良好，扫描电子显微镜(SEM)测试表明薄膜表面光滑平整，结构致密均 匀 ；在室温光致发光(PL)光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰；透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截 止边和较高的可见光区透过率，表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性；霍尔效应测试表明，在550 ℃下获得了P型导电的ZnO：Ag薄膜。 关 键 词：ZnO：Ag薄膜；超声喷雾热分解；P型掺杂；Hall效应 中图分类号：0472．3；4082．31 PACC：3250F；7855 文献标识码：A 并且在掺杂物选择和掺杂机理上存在 比较大的争 1 引 言 议 。最近 Yan等通过第一性原理电子结构 ZnO是一种 Ⅱ。Ⅵ族具有压电和光电特性的 计算得出，在富氧生长条件下 IB族元素取代 zn 直接宽带隙半导体材料，是人们关注的短波长光 位形成受主杂质的缺陷形成能非常低，而进入间 电材料的新焦点。其具有高的激子束缚能(60 隙的缺陷形成能却非常高，因而 IB族元素在ZnO meV)，极好的抗辐照性能和化学稳定性能，低的 薄膜中更容易取代zn位而不是形成间隙原子。 外延生长温度和大尺寸衬底材料等一些独特的优 而且这种条件会有效抑制对空穴载流子形成补偿 点，有望用于制备uV发光二极管和低阈值激光 的诸多本征施主缺陷(如氧空位 V。和间隙锌 器，这些器件将广泛用于光通信网络、光电显示、 Zn)的形成¨ 。理论计算和分析还表明，在 IB 光电储存、光 电转化和光电探测等领域 。为开发 族元素中，Ag在氧化锌中具有相对较浅的受主能 实用的ZnO基发光器件，首先必须生长出发光器 级(0．4eV)，与其他同族元素(Cu，Au)相比是一 件的核心结构——ZnO基 P—n结。然而，氧化锌 种更加理想的受主掺杂元素 ¨。但是 目前有关 为本征n型半导体，存在诸多本征施主缺陷(如 通过Ag掺杂获得 P型ZnO的实验报道比较有 氧空位V。和间隙锌zni等)，对受主掺杂产生高 限。HongSeongKang等采用脉冲激光沉积 度 自补偿作用，加之受主杂质有限的固溶度或较 (PLD)法通过Ag掺杂在很窄的温度范围(200— 深的受主能级 ¨j，使得ZnO薄膜的P型掺杂非常 250℃)内获得了P型ZnO薄膜” ，但PLD方法 困难，导致无法制得氧化锌p-n结结构，极大地限 制了氧化锌基光电器件的开发应用。制