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第37卷第1期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 37 ,No. 1
2003年1月 Atomic Energy Science and Technology Jan. 2003
He + 、N+ 注入 Ga N 的背散射和电学特性研究
1 1 ,2 1 1 1
周生强 ,姚淑德 ,焦升贤 ,孙长春 ,孙 昌
( 1 北京大学 技术物理系 ,北京 100871 ; 2 北京大学 重离子物理研究所 ,北京 100871)
( ) + +
摘要 :采用背散射/ 沟道 RBS/ channeling 技术分析了 GaN 的物理性质和结晶品质。研究了 He 、N 注
入所引起的 GaN 的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下 ,氮气保护退火30 min ,用 Hall 法测
量电阻率。测量结果表明 : GaN 的电阻率增大 7～8 个数量级。在 200 ～400 ℃下退火 , 电阻率变化最
( )
大。经高温 600～700 ℃ 退火后 , 电阻率仍比注入前大3～4 个数量级。
关键词 : GaN ;离子注入 ;背散射/ 沟道 ; 电阻率; 辐照损伤
中图分类号: TN204 文献标识码 :A 文章编号 (2003)
+ +
RBS Study on Ga N Implated With He , N
ZHOU Shengqiang1 , YAO Shude1 ,2 ,
1 1 1
J IAO Shengxian , SUN Changchun , SUN Chang
( 1. Depart ment of Technical Physics , Peking U niversity , Beijin g 100871, China ;
)
2 . Institute of Heavy Ion Physics , Peking U niversity , Beijin g 100871, China
Abstract : The structure and crystal quality of GaN are studied using Rutherford
backscattering spectrometry ( RBS) and channeling. The samples are grown on sapphire sub
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