第四章 电力电子技术【荐】.pptVIP

一般工业 交通运输 电力系统 电子装置用电源 家用电器 电力电子技术的萌芽（整流） 电力电子器件的发展 硅晶体三极管（1948） 电流驱动型 MOS场效应管（Field Effect Transistor 1978） 电压驱动型 弱电控制强电的学科交叉技术（多学科交叉）； 传送能量的模拟（analog）－数字(digital)－模拟转换技术（微电子技术中的模数转换传送的是信息）； 多学科知识的综合设计技术（电磁干扰、散热等） 电气工程及其自动化 电气工程及其自动化 第四讲 电力电子技术与电气传动 （Power Electronics） 合肥工业大学 　 华中科技大学 清华大学 西安交通大学 浙江大学 中国矿业大学 　 重庆大学 南京航空航天大学 西南交通大学 本专业的国家重点学科： 1. 电力电子作用和发展简史 变换电路 input output load control 电力电子装置提供给负载的是各种不同的电源，因此可以说，电力电子技术研究的也就是电源技术。 Power electronics is the technology associated with the efficient conversion, control and conditioning of electricity power from by static means from its available input form into desired electrical output form. Definition by Thomas G. Wilson( IEEE life fellow) 先有直流用电后有交流发电迫使人们必须研究整流技术。 1876发现硒的整流特性，1925年发明了干盘式硒整流器； 1884发现Edison效应即热阴极电子发射整流效应，1904年利用该效应发明热阴极电子二极管， 1907年发明了热阴极电子三级管。 1926年发明了干盘式氧化铜整流器。 1902年发明了双阳极全波汞弧整流器（不可控）； 1903年科学家认为通过在阳极和阴极之间的栅极上施加电压可以控制汞蒸汽的放电。 1928年发明了闸流管（可控三级充气整流器）。 1933年发明了引燃管（可控汞弧整流器）。 1948年 出现硅晶体管 Industrial electronics IEEE Transactions on Industrial Electronics 1957年GE发明了可控硅（silicon controlled rectifier）,后被国际电工学会正式命名为晶闸管（Thyristor） 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。导通后的晶闸管管压降很小。 使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值。 这是一种半控型器件（能控制开通,不能控制断开） 既能控制开通、又能控制关断的thyristor与1961年研制成功(General Electric Gate Turn Off Thyristor） 某晶闸管技术参数 IGBT的出现（1981） IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IPM的出现（1990） IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT作为功率开关元件，内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。 2. 电力电子技术的特点 电力电子技术 电力与能量 电子与器件 控制与系统 控制 变换 This subject comes from int