一种简化的VBIC模型和InGaP_GaAsHBT宽带放大器设计.pdfVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S May ,2005 一种简化的 VBIC 模型和 In Ga P/ GaAs HBT 宽带放大器设计 孙玲玲 　刘 　军 杭州电子科技大学微电子 CAD 研究所 , 杭州 　3 100 18 摘要 : 采用一种新的简化 VB IC 模型对单 、多指 In Ga P/ GaA s HB T 器件进行建模. 测量和模型仿真 IV 特性及其 在多偏置条件下多频率点 S 参数对比结果表明 ,DC～9 GHz 频率范围内,简化后的模型可对 In Ga P/ GaA s HB T 交 流小信号特性进行较好的表征. 利用建立的模型设计出 DC～9 GHz 两级直接耦合宽带放大器 ,该放大器增益达到 19dB ,输入 、输出回波损耗分别低于 - 10dB 和 - 8dB . 关键词 : 简化 VB IC 模型 ; In Ga P/ GaA s HB T ; 宽带放大器 EEACC : 1220 ; 1350 中图分类号 : TN 386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 2005 0座机电话号码 GaA s HB T 开始取代 Al GaA s/ GaA s HB T 工艺 ,逐渐 1 　引言 成为Ⅲ Ⅴ族化合物 HB T 主流工艺. 本文在对文献[ 1 ] 提出的简化 VB IC 模型用于 得益于异质结结构 , HB T 成为当前最具发展潜 In Ga P/ GaA s HB T 建模的可行性和缺点进行讨论 力的半导体器件之一 ,并在军事 、民用等领域获得广 之后 ,提出一种新的简化 VB IC 模型 ,并尝试将其用 泛应用. 但迄今为止 ,无论是 Ⅲ Ⅴ族化合物还是硅 于更高频段单指 、4 指 In Ga P/ GaA s HB T 器件建 基 HB T 均未形成统一的大 、小信号模型及其参数 模. 通过对比模型仿真和重新流片后获得的晶体管 提取方法 ,这给基于该类器件的 R F/ MM IC 计算机 单管芯片 IV 特性及其在多偏置条件下多频率点 S 辅助设计 CAD 带来极大的困难. 考虑到 Ⅲ Ⅴ族化 参数特性后发现 ,本文提出的模型在越过 9 GHz 频 合物如 In Ga P/ GaA s HB T 可归于新的器件类型 ,但 段时仍然有较高的精度. 之后 ,基于自建模型设计的 其基本工作原理和一般的BJ T 相比并没有本质区 一个 2 级直接耦合宽带放大器得到了流片实现 ,经 别 ,对基于 Si BJ T 工艺开发的BJ T 模型如 VB IC 等 实测 , 该放大器在 9 GHz 频率 范 围 内增益达 到 进行简化 , 并将其直接用于 Ⅲ Ⅴ族化合物 HB T 19dB ,输入 、输 出回波损耗分别低于 - 10dB 和 - RF/ MM IC 设计成为诸多射频研究人员的共 同选 8dB ,与设计结果基本吻合. 在设计频段范围内,模 择. 型有较强的实用性 ,可用于该工艺线 In Ga P/ GaA s 直接耦合微波宽带放大器在 Gbp s Gigabitper HB T RF/ MM IC 设计. second 高数据率光纤通信 、仪器仪表 、无线通信 、蜂窝 电话以及卫星接收设备中有着广泛的应用 , Ⅲ Ⅴ族化 2 　简化的 VBIC 模型及其交流小信号 合物 HB T 因其高的截止频率、低的 1/ f 噪声、更好的 特性 绝缘性能及更高的电流增益而成为宽带应用的最佳 选择之一. 而 以材料和工艺而论 , 近年来 , In GaP/ VB IC t he vertical bip olar int erco mp any mo d 国家自然科学基金资助项 目 批准号 :座机电话号码 孙玲玲 　女 ,1956 年出生 ,教授 ,IEEE 高级会员 ,主要研究领域包括微波及深亚微米集成电路设计及 CAD . 刘 　军 　男 ,1977 年出生 ,硕士研究生 ,主要研究方向为元器件建模及 R F/ MM IC 设计. 座机电话号码 收到 ,座机电话号码 定稿 2005 中国电子学会 第 5 期 孙玲玲等 : 　一种简化的 VB IC 模型和 In Ga P/ GaA s HB T 宽带放大器设计 995 [2 ,3 ] el 模型拓扑如 图 1 a 所示. 模型基本方程与 结电流理想因子以及超相位 exce ss p ha se 时延的 SP ICE G