第三章 集成门电路（INTEGRATED GATE CIRCUIT）.ppt

第三章 集成门电路（INTEGRATED GATE CIRCUIT) 集成门电路是实现数字系统功能的物质基础。门即电子开关，具有开门状态（开关接通）和关门状态（开关断开） 集成电路芯片，把实现各种功能的元器件及其连线都集中制造在同一块半导体材料小片上，并封装在一个壳体中，通过引线与外界联系。 可靠性高、可维护性好、功耗低、成本低等优点，而且可以大大简化设计和调试过程。 3.1 半导体器件的开关特性 3.2 分立元件门电路 3.3 TTL集成逻辑门 3.1 半导体器件的开关特性 半导体器件如晶体二极管、晶体三极管和MOS管等器件都有导通和截止的开关作用。 利用电子器件的两种不同状态表示一个二进制数。 3.1.1 晶体二极管的开关特性 静态特性又称伏安特性：二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。 门槛电压 ( VTH )：使二极管开始导通的正向电压，又称为阈值电压、死区电压、导通电压。（一般锗管约0.1V，硅管0.5V） 钳位电压即折线化的死区电压0.3V, 0.7V 1、正向特性 正向电压VD≤VTH：管子截止，电阻很大，正向电流IF接近于0，二极管类似于开关的断开状态 ； 正向电压VD=VTH：管子开始导通，正向电流IF开始上升； 正向电压VD＞VTH(一般锗管为0.3V，硅管为0.7V)：管子充分导通，电阻很小，正向电流IF急剧增加，二极管类似于开关的接通状态。 2． 反向特性 二极管在反向电压VR 作用下，处于截止状态，反向电阻很大，反向电流 IR 很小（将其称为反向饱和电流，用IS表示，通常可忽略不计 ），二极管的状态类似于开关断开。而且反向电压在一定范围内变化基本不引起反向电流的变化。 正向导通状态 ? 开关闭合 ? 电路短路 ? 表征逻辑1 反向截止状态 ? 开关断开 ? 电路断路 ? 表征逻辑0 3.1.2 晶体三极管的开关特性 晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成，有截止、放大、饱和三种工作状态。 静态开关特性：三极管在饱和和截止两种稳定状态下的特性。 截止状态：Ub0,ib?0,ic?0,Uce?Ucc，相当于开关断开。 放大状态： Ub0, ic=βib 饱和状态： Ub0, ib?Ibs?Ucc/βRc, Ibs?Ics/β; 此时ic=Ics?Ucc/Rc,Uce?0.3V 相当于开关接通。 截止状态 ? 开关断开 ? 电路断路 ? 表征逻辑0 饱和状态 ? 开关闭合 ? 电路短路 ? 表征逻辑1 3.2 分立元件门电路 3.2.1 二极管“与”门（AND gate） 功能：当A与B都为高时，输出F才为高。 表达式：F=A?B 逻辑电路图： 3.2.2 二极管“或”门（OR gate） 3.2.3 三极管“非”门（NOT gate or inverter） 3.3 TTL集成逻辑门 学习时应重点掌握集成逻辑门电路的功能和外部特性，以及器件的使用方法。对其内部结构和工作原理只要求作一般了解。 3.3.1 典型TTL与非门 1.电路结构及工作原理 2.主要外部特性参数 3.TTL与非门集成电路芯片 3.3.2 其他类型的TTL门电路 1.几种常用的TTL门电路 2.集电极开路门（OC门） 3.三态输出门（TS门） 3.3.3正逻辑和负逻辑 3.3.1 典型TTL “与非”门 1.电路结构及工作原理 2.主要外部特性参数 输出高电平，输出低电平，开门电平，关门电平，扇入系数，扇出系数，输入短路电流，高电平输入电流，平均传输延迟时间，空载功耗。 (1)输出高电平VOH ：指至少有一个输入端接低电平时的输出电平。VOH的典型值是3.6V。 (2)输出低电平VOL：输出低电平VOL是指输入全为高电平时的输出电平。VOL的典型值是0.3V。 (3)开门电平VON：指在额定负载下，使输出电平达到标准低电平VSL的输入电平，它表示使与非门开通的最小输入电平。VON的产品规范值为VON≤1.8V。 (4)关门电平VOFF ：指输出空载时，使输出电平达到标准高电平VSH的输入电平，它表示使与非门关断所允许的最大输入电平。VOFF 的产品规范值VOFF≥0.8V。 (5)扇入系数Ni：指与非门允许的输入端数目。 (6)扇出系数No：指与非门输出端连接同类门的最多个数。 (7)输入短路电流IiS：指当与非门的某一个输入端接地而其余输入端悬空时，流过接地输入端的电流。 (8)高电平输入电流IiH：指某一输入端接高电平，而其他输入端接地时，流入高电平输入端的电流，又称为输入漏电流。 (9)平均传输延迟时间tpd:指一个矩形波信号从与非门输入端传到与非门输出端(反相输出)所延迟的时间。 (10)空载功耗P：指与非门空载时电源总电流ICC和电源电压