第3章_5_光刻.ppt

3.5.2 分辨率 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。设光刻加工的线条宽度为L，其分辨率为R，则有： R=1/L(mm-1) R表示每毫米中线宽为L的线条数目。在分辨率的描述中常用线宽与线条间距相等的情况： R=1/（2L）(mm-1) 光刻的分辨率受到光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 光刻的分辨率受受光源衍射的限制 由测不准原理可得： 误差为： △L≧?/2 则最高分辨率：Rmax≦1/?(mm-1) 对于其他粒子： 粒子动能： 动量：p=mv 则： 粒子的德波罗意波长： 最细线条： 对光子： 对电子： 对离子： M是离子的质量，MP是质子的质量 3.5.3 紫外线曝光 通常使用汞弧光灯所产生的紫外光作为步进曝光机的光源。考虑光刻胶及光学系统的影响： K1是与光刻胶材料及工艺相关的常数，NA是曝光机光学系统的光圈值。 聚焦深度： K2是另一个与光刻胶有关的常数，要在硅晶片上获得良好的图形，要有小的最小线宽，一定的聚焦深度。两者要兼顾。 目前常用的光源波长为：436nm（G线）和365nm（I线）。 当使用I线时，NA≈0.5,K1≈0.65, K2≈1.0。 曝光机能提供的最佳线宽为0.47?m，聚焦深度为：1.46 ?m 目前采用248nm、