第2章 双极型晶体管及其特性.ppt

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第2章 双极型晶体管及其放大电路 2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联 2–1 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极,所以又称为半导体三极管、晶体三极管等,以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2–1(a)所示。由图可见,组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构,所以称为NPN管。 2–1–1放大状态下晶体管中载流子的传输过程 当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下,管内载流子的运动情况可用图2--2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。 一、发射区向基区注入电子 由于e结正偏,因而结两侧多子的扩散占优势,这时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区,形成电子注入电流IEN。与此同时,基区空穴也向发射区注入,形成空穴注入电流IEP。因为发射区相对基区是重掺杂,基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度,所以满足 IEP IE

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