第3篇第八章光刻胶.ppt

* * 微电子工艺原理与技术 李 金 华 第八章 光 刻 胶 第三篇 单项工艺2 主要内容 光刻胶的类型； 2. DQN正胶的典型反应； 3. 对比度曲线； 4. 临界调制函数 5. 光刻胶的涂敷和显影； 6. 二级曝光效应； 先进光刻胶和光刻工艺。 1. 光刻胶的类型 光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为光刻胶。 酚醛树脂基化合物是IC制造中最常用的光刻胶的主要成分。胶中通常有三种成分，即树脂或基体材料、感光化合物（PAC）、溶剂。PAC是抑制剂，感光前，抑制光刻胶在显影液中的溶解。感光后，起化学反应，增加了胶的溶解速度。 光刻胶分正胶和负胶。 正胶：曝光区在显影后溶化，非曝光区留下。 负胶：曝光区在显影后留下，非曝光区在显影液中溶解。 光刻胶的两个基本性能为灵敏度和分辨率。 灵敏度是指发生上述化学变化所需的光能量（J/cm2）。灵敏度越高，曝光过程越快，所需曝光时间越短。分辨率是指排除光刻设备影响，能在光刻胶上再现的最小特征尺寸。 正胶和负胶 光刻胶是长链聚合物，正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用，使长链变短，使聚合物更容易在显影液中溶解。负胶在曝光后，使聚合物发生交联，在显影液中