第二章 集成门电路.pptVIP

集成逻辑门电路 分立元件构成的逻辑门电路（1） 分立元件构成的逻辑门电路（2） 分立元件构成的逻辑门电路（3） 集成逻辑门电路的特点（1） 集成逻辑门电路的特点（2） 集成逻辑门电路的特点（3） 集成逻辑门电路的特点（4） 集成逻辑门电路的特点（5） TTL门电路的主要参数（1） TTL门电路的主要参数（2） TTL门电路的主要参数（3） TTL门电路的主要参数（4） TTL门电路的主要参数（5） TTL门电路的主要参数（6） TTL门电路的主要参数（7） TTL门电路的主要参数（8） TTL门电路的主要参数（9） TTL门电路的主要参数（10） TTL门电路的主要参数（11） TTL门电路的主要参数（12） 集电极开路“与非”门（1） 集电极开路“与非”门（2） 集电极开路“与非”门（3） 集电极开路“与非”门（4） 三态门(1) 三态门(2) 三态门(3) * {end} 分立元件构成的逻辑门电路 TTL集成逻辑门电路 TTL集成逻辑门电路的主要参数 OC门与三态门 TTL集成逻辑门电路的特点 二极管构成的“或”门电路 电路结构 工作原理 0 5 5 0 5 5 4.3 0 0 -0.7 (V) (V) (V) 4.3 4.3 用逻辑变量A、B、F分别表示 、 、 . “0”:表示低电平 “1”:表示高电平 R F与A、B间的逻辑关系可表示为： A B 0 0 F 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 逻辑符号 ≥1 A B F 电路结构 +5V DA DB R A B F 二极管构成的“与”门电路 工作原理 0 5 5 0 5 5 5 0 0 0.7 (V) (V) (V) 0.7 0.7 F与A、B间的逻辑关系可表示为： A B 0 0 F 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 逻辑符号 A B F 三极管构成的“非”门电路 A -12V R1 R2 RC +5V F 电路结构 工作原理 5 0 5 (V) (V) ≤0.3 A F 0 1 1 0 A F 1 三极管截止 三极管饱和 {end} 集成逻辑电路的发展 小规模集成电路 SSI (Small Scale Intrgration) 中规模集成电路MSI (Middle Scale Intrgration) 大规模集成电路 LSI (Lagle Scale Intrgration) 超大规模集成电路VLSI (Lagle Scale Intrgration) 逻辑门电路 典型组合逻辑与时序逻辑电路 可编程器件 专用系统 集成逻辑门电路的分类 集成逻辑门－－把晶体管、电阻及电路连线等制作在一块半导体的基片上，并封装在一个壳体内的逻辑门电路。 TTL (Transistor-Transistor Logic)： 以双极型三极管作为开关器件 CMOS (Complementary Metal-oxide-Semiconductor)： 由NMOS和PMOS互补组合而成 两者性能比较： 按基本组成元件可分为： TTL：电路速度快，功耗较大 CMOS：电路速度慢，功耗很低 74XX，74HXX，74SXX，74LSXX 不同：平均传输延迟时间和平均功耗有差异。 相同：其他参数和外引线彼此相容，结构特点相同，电气参数基本相同。 TTL产品系列： TTL集成门电路的结构与工作原理 R1 R4 R3 R2 1.6K? 1.0K? 130? 4K? +5V A B F T1 T2 T5 T4 D3 多发射极三极管的特点：当其中的一个发射极满足三极管的导通条件时，三极管就导通。 实现“与” 实现“非” 输出级 -----以74系列的2输入“与非”门为例 +5V DA DB R A B F R1 R4 R3 R2 1.6K? 1.0K? 130? 4K? +5V A B F T1 T2 T5 T4 D3 A,B有一个为低电平时: 导通 截止 导通 截止 F为高电平 A,B均为高电平时: 截止 导通 截止 导通 F为低电平 F与A、B间的逻辑关系为： 0 0 A B F 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 TTL“与非”门工作原理 TTL门电路的极限参数： ----用以保证芯片能够安全的工作 名称 符号 最大变