第三讲 振荡器及设计.pptVIP

3 输出电压控制电路(AGC) 可控增益放大器 AD603/AD605 峰值检测电路 二极管(肖特基)峰值检波 ADC电路 DAC电路 MAX038引脚功能 MAX038应用-PLL 五、DDS频率合成及集成电路 1.DDS原理 2.AD9835 FEATURES 5 V Power Supply 50 MHz Speed On-Chip COS Look-Up Table On-Chip 10-Bit DAC Serial Loading Power-Down Option 200 mW Power Consumption 16-Lead TSSOP APPLICATIONS DDS Tuning Digital Demodulation 六、设计举例 电压控制LC振荡器设计 指标要求 输出频率15MHz～35MHz 可实现输出频率步进，步进间隔2kHz， 频稳度优于5×10-4/h 输出电压Vp-p=500mV±50mV 设计要点 频率覆盖系数大：Siler振荡器(VCO)和变容管 采用锁相频率合成MC145151-2 高输出电压：用宽带程控放大器AD603 1 基本振荡电路设计 MMBV109 5～40P,BB910 2.3～38P 四个串并联后，总电容CD为10～40P.L1用2.7uH、L2用1.8uH的色环电感，控制位D控制L2的接入，并联后的电感量为1.1uH。C1=50P,C2=100P反馈系数F=C1/(C1+C2)=0.33,C3=10P 第一频段：13.98MHz～22.83MHz 第二频段：22.1MHz～36.1MHz 型号 最大反向偏压/V 电容（工作电压/V）变化范围/pF Qmin 反向特性 IRmax/μA 测试条件/V 1S2638 10 约7（10）～25（0.1） 50 5 10 MV209 30 约5（25）～32（3） 200 100 25 1SV149 15 30（8）～540（1） 200 0.05 15 2CC1A 15 50～220 ≤1 15 2CC1B 15 22～110 ≤1 15 2CC1F 60 10～110 ≤1 60 常用变容二极管主要参数 2 频率控制电路设计 用MC145152和Op07组成的环路低通滤波器输出控制电压VC 参见MC145152的典型应用电路，VCO即为前面的Siler振荡器 第三讲 高频振荡器及设计 刘国华 主要内容 一、高频振荡器原理 二、LC和晶体振荡器 三、压控振荡器（VCO） 四、锁相频率合成及集成电路 五、DDS频率合成及集成电路 六、设计举例 概述 应用领域 通信系统：发射机中载波源、变频本振，接收机混频本振 测量仪器、自动控制、医疗仪器 技术指标 频率稳定度 输出电平稳定度 波形失真 输出阻抗和最大输出功率 分类 反馈振荡器和负阻振荡器 一、高频振荡器原理 1.电路组成 基本放大器、反馈网络、选频网络 2.特点 起振条件：环路增益大于1 反馈类型：正反馈 本质：能量转换电路。直流电源能量转换为特定频率能量 二、LC和晶体振荡器 1.特点 电感L和电容C组成反馈网络和选频网络，选频网络Q值高 振荡频率小于几百MHz 2.分类 互感LC振荡:变压器、频率不高、使用空心线圈可提高频率 电容三点式（Colpitts）振荡：电容反馈、波形好 电感三点式（Hartley）振荡：电感反馈、高频波形差 改进型电容三点式（Clapp和Siler）振荡：稳定性高 3.电路形式 共基：高频特性好，用的最多。共射：电压电流放大 共集：阻抗变换和隔离 晶体振荡器 特点 晶体压电效应 频稳度极高：物理性质稳定、接入系数小、Q值高 等效电路 晶体只能等效为电感 （并联型振荡）或短路线 （串联型振荡） Siler振荡电路 电路分析 共集电路，AV1，F1，能够起振。 fO由射极输出，输出阻抗很小， 可以提高带负载能力。 如果振荡信号幅度不够大，后面 需要增加缓冲放大电路。 如果考虑三极管的结电容 Cbe、Cce和Coe，则Cbe与C1 并联，Cce与C2并联，实际 振荡频率会降低。 晶体振荡器 串联 并联