材料涂覆导体平板后向散射的PO、UTD与MoM分析.pdfVIP

材料涂覆导体平板后向散射的PO、 UTD和MoM分析 最红戚 肖患河 ● 【空军第二研究所北京100085) (航天总公司二院207所北京100854) 【■叠】 本文建立了求解材料涂疆导体平扳君向散射l可艨的Po、lnD和MoM模型，并对由这三 ● 种模型计算所得的结果进行了比较．通过分析不同材料参数或不商平板尺寸对材料蜍疆导体平扳后向教射 的蓐响，得到一些有益的结论． 【关t词l材料涂疆导体平板，电磁敢射，物理光学，—致性绕射理论，矩量法 1一N ．’ 1 引言 jl‘7：～ 在雷达吸波材料的分析与设计、涂覆材料表面波的机理研究等方面经常碰到需要求解 材料涂覆导体平板后向散射的问题．最简单的求解方法是物理光学∞)法，可是，PO法仅 在镜面反射方向附近有效．于是，基于阻抗劈的一致性绕射理论COTD)m常被使用，但由于 该绕射系数在阻抗劈的表面上为零，因此无法处理在某些情况下明显占优的多次绕射或表 面波的贡献．为此，本文将材料涂覆导体平板近似等效为阻抗加载直角薄柱，基于反应积 问题．该方法已被用于多种加载柱体的散射计算，其有效性得到理论和实验验证【揶1．数值 与实验结果均表明，在相同的阻抗边界条件近似下，由于MoM计及了表面波的贡献，因 此比PO、和urD能更准确地甩于分析材料涂覆导体平板的后向散射特性。最后，本文还 分析了不同材料参数或不同平板尺寸对材料涂覆导体平扳后向散射的影响，由此得到一些 有价值的结论． 2材料涂覆导体平板后向散射的PO、uTD和MoM模型 ● 考虑图1所示材料涂覆导体平板的后向散射问题。导体平板尺寸为oxbxd，，上面涂覆 厚度为d(d《由、复介电常数为占，和复磁导宰为卢，的吸波材料．受在卅，平面内入射的TM ● 或TE极化(即在平行于：轴的方向上只有电场分量p或磁场分量日尹)平面波照射，且 入射角．时谐关系为expU耐)． 2．1 PO解 根据PO法，可求锝材料涂疆导体平板的后向散射截面为 —’47l一 e 圈I材辩涂疆导体平扳 11 11t2平板在翘r面甜俯视 3愿闫曩的等效 喜 一74Jl’嘣．|蓦剖4inCboN‘)f c，曲 一=74Jr槲甜慨嗣2矧 o” 为材料表面处归一化于自由空间渡阻抗％=377Q的输入阻抗． 2．2 IJTI)耸 如图2，根据I．YrD法，计及阻抗劈边缘的一次绕射贡献，可求得材料涂覆导体平板的 后向教射截面为 ㈤ 一；等矿№一^z—t掣，掣；乜_畸∞蛐∞卿+D(触矿∥；轧·螂p(呐∞研 萨=等矿匣#一加一t铲，聋；配一嘲。毗腑。∞田+姒^酽。砰；也·z泗嘶伽％种(2b) 式中，D为阻抗半平面的一致性边缘绕射系数m，且一晋、口嚣由sl’um一嚣=l，：嚣和 sin口：!：=尤确定。下标。月