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离化团束沉积装置的研制 唐德礼耿漫蒲世豪邵先华谢锋莫志涛 (核工业两南物理研究院．成都．610041) 摘要 在材料表面改性领域．离化团柬(ICB)沉积技术在半导体和其它功能膜方面应 州日益广泛。本文简单介绍了我们研制的离化团束沉积实验装置以及在此装置上进行 的一些初步实验，并分别在硅片上沉积的Cu和Al膜。Cu和Al膜的AFM图象显示沉 积膜的表面粗造度的均方根值约为100．101A，接近或达到原子级别． 关键词：离化团沉积薄膜 1前言 在材料表面改性领域的最新发展要求离子改性范围在纳米量级。离子能量从几个 ev到几百个eV，且必须具有强束流。通过离化团柬(ICB)技术就可实现上述要求。 团粒是是几十、几百或数千个原子或分子的聚合体，它很容易被电离和加速。1972 年，Takagi等人通过一个喷嘴利用高温蒸发和膨胀进入真空形成了室温固体团粒Ⅲ，从 此开始了离化团束沉积技术的发展。在常规离子束技术中采用原子或分子态离子，而 离化团束采用电离的原子团。与单个原子束相比较．团粒束有不同的辐照效应，诸如 沉积、溅射、损伤累积和动态退火等。团粒离子对材料的碰撞为表面处理提供了许多 新而独特的应用。利用离化团束薄膜沉积技术，日美等国已经在不同材料的基片上沉 积了不同种类的功能薄膜12I，诸如半导体膜、金属膜、光学膜、超导膜和用于电子器件 的绝缘体膜等。 本文简单介绍了离化团柬源和离化团束沉积实验装置的研制情况，以及在此装置上 进行的一些初步实验和结果。 2离化团束源的研制 离化团束源作为产生团粒的源泉，是离化团束沉积技术的核心。我们将离化团束 源作为整个装置研制的重点。在我们研制的离化团柬源中．主要包括热偶支撑过渡区、 坩埚加热区和团粒碰撞电离区二个土要部分。我nJ使用欧220ram的钽装w．Re热偶直 接与坩埚接触，它既起支撑坩埚的作用，同时也直接测量坩埚底部温度。由于希望获 得高熔点材抖的团粒束．我们采川Ii墨作坩埚平f；峨嘴材料．为了便r更换不同的待蒸 发材利，坩埚和喷嘴之间jlj螺纹连接。喷嘴的喷口尺寸为+1x4ram，坩埚外径为m20mm。 mm 为r提高坩埚濡度，我们采Ⅲ电子求碰撞加热方式。在加热区，坩埚由直径约40 的数罔加热钨丝环绕。直径约60 mm的钼筒作为加热区的热和电屏蔽，在坩埚上方20 iIiiYi处Ti～内孔为20 mm的铝屏蔽环，在钼屏敲筒和屏蔽环外是直径为100 mm的水 冷铜套。在坩埚上方约50mm处J,J电离阿．包括也离钨丝、电离m1极羊¨钼屏蔽筒，其 结构1_加热区类似。坩埚加热医和团粒电离区由带水冷的不锈钢法兰支撑，f放置】：倒 彤陶瓷绝缘套中。 离化团束源中．不同部件的电位对真空宝带I乜粒子的本底电流有很人作川。由丁 坩埚采川电子柬加热，加热坩埚的高电流将产生大量离子，为了阻止它们被加速进入 沉积区．我们将坩埚处丁_地电位，加热灯丝和钥屏蔽筒处于负偏压(--1000V)，由此． 在坩埚周围产生的正离子都将被高负电压所俘获。水冷铜套羽l屯离阳极也处r地电位． 电离灯丝和电离区钼屏蔽筒都处于负电位(～-200V)。在加热区和电离区的钼屏蔽简分 别与加热和电离灯丝的一端等电位，它们起电和热屏蔽的双重作用。 3离化团束沉积实验 在完成了离化团束源之后，建立了～台小型离化团束沉积实验装置，如图1历示。 它包括以。Fit,个部分：加热区、电离区和沉积区。在加热区外有水冷铜套，在电离区 上方有活性气体导入孔以便丁_活性离化团束沉积，在该装置上进行了初步的离化团束 沉积实验。为了获取离化团束沉积薄膜的结晶情况和表面形貌．我们分别在硅基片上 下沉积50分钟。Al膜的沉积条件为：喷嘴怛x4mm．坩埚温度1273K，在3kV／100“A 下沉积40分钟。我们将上述条件下沉积的‘cu和Al膜进行了原子力显微(AFM)测 试，测试结果表明在硅片上沉积的Cu和Al膜的表面粗造度的均方根值分90为1．647nm 和O．293nm。可见。离化团束沉积的表面粗造度已接近原子量级。AI膜的A