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离子束薄膜合成及其应用 (?战Z 柳襄怀 中国科学院离子束开放研究实验室，上海长宁路865号200050上海 摘要本文报道中国科学院离子柬开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展 和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜台成．真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入SOI材 料台成的方法及其物理过程。同时对离子束合成薄膜在工业及国黯上的应用也进行了探讨。 一、引言 新材料的设计和合成是21世纪高技术发展的一个重要领域。离子束薄膜合成和应用将在 这一领域中发挥重要作用。 中国科学院离子束开放研究实验室从八十年代以来，前后发展了离子注入合成、离子束溅 射沉积、离子柬辅助沉积及真空磁过滤弧源沉积等各种薄膜合成新方法，并对其物理过程及微 观结构进行了系统研究。用离子注入技术合成了S01薄层；用离子束辅助沉积技术合成了硬 善 质薄膜、金属和合金膜、生物医学薄膜涂层；用离子束溅射技术制备出功能薄膜；用真空磁过滤 弧源沉积技术生长了非晶金刚石薄膜。用离子束技术制备得到的一些薄膜，已经在半导体器 件、模具、军用行波管等方面获得应用，效果良好。 二、离子柬辅助沉积薄膜合成 Beam 离子柬辅助沉积(Ion Assisted 积的同时，用一定能量、种类、流强的离子束轰击正在生长的表面而合成薄膜的一种手段。其最 显著的优点是：合成的薄膜非常致密；与基体的粘着力极强；低温下合成；可以合成一些用常规 手段难“获得的特殊薄膜材料，等等。 离子束辅助沉积的最早实验研究发表于1972年，到八十年代中期受到普遍重视，目前已成 为一种非常有应用前景的新型薄膜合成手段。中国科学院离子束开放研究实验室从1987年开 始从事离子柬辅助沉积薄膜合成研究。从“七五”至今，一直承担国家(863高技术计划项目，并 且是“材料表面处理新技术”专题负责单位，在国内开拓了用离子束合成薄膜的新方向。 (1)IBAD薄膜合成的物理过程 按照薄膜沉积过程中沉积原子对气体元素的吸附作用，IBAD合成过程可分为无吸附和7 有吸附作用两种情况。无吸附作用的IBAD合成过程中，如si3N。、BN等，组份比受离子／原子 到达比率的控制。我们用建立在粒子输运理论基础上的“动态离子注入”方法来描述。 素主要来源于沉积原子对气体的化学吸附，离子束的作用是提供局域性能量。我们发展了 Monte—Carlo计算机模拟方法来描述这种过程。 IBAD的薄膜与基体有极强的粘着力，主要是合成膜与基体之间有一组份渐变的过渡层。 通过控制离子束的能量、束流强度，可姒改变过渡层的宽度和组份分布。离子束轰击还导致薄 SO— 膜致密度的提高和内应力的释放。 (2)IBAD合成薄膜的微结构 ]BAD过程中，每个原f可获得的平均动能大约在零点几至数十电子伏特之间。正是这种 较高值的能量淀积，使得室温下薄膜合成成为可能。1BAD膜微结构的形成与离子在固体中激 发的级联碰撞过程有关。在局域性的区域内大量能量的快速淀积，将导致类似快速熔化、再结 晶，或淬冷等过程．容易形成非晶、纳米晶及亚稳相结构。我们发展了分一严动力学计算机模拟方 法，用于研究IBAD薄膜的微结构形成机制。 室温下IBAD合成的薄膜，其常见的微结构为： 1)非晶态，如SlN；，a—C等 2)纳米品，如，rlN，TiB2等 3)择优取向一定程度上可控的织构状态，如YsZ高温超导缓冲层等 4)亚稳态，如DLC，BN，TiN2等 (3)IBAD薄膜制备及其应用 1)TiN纳米薄膜的合成及其在压印模具中的应用 膜，并采用多种表征手段，较广泛地研究r上述硬质薄膜的微结构、机械性能、光学性能、电学 性能、内应力、与基体的结台力等。 而增大。这种纳米晶TiN薄膜的硬度，已接近其体材料的硬度值。 这种纳米TiN薄膜用于改善银质和铜质纪念币压印模具，