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s1℃99 一种高灵敏度微波功率传感器的新结构设计 黼陈德勇 戡付 中科院电予断牛毒憾教术国家重点实验室 j凉100080 本文提出—种半导体热偶微波功率传感器的新的微结构设计方案。解决原有设计器件存 在的问题，以获得更高的灵敏度。对该新结构进行理论分析，有限元计算，取得了理想的结 论。 引言 功率测量已成为电融测量的重要部分。薄膜热偶被广泛应用于功率测量，但其f时骞断水 平和寄生电抗限止了其频率范围。结合了薄膜和半导体技术的—种特殊结构fl】克服了以前 的限制并取得了应用。 具有低电阳温度系数的1砬q和赢热电功率塞贝克系数的Si被做为热偶材料，它们降 低了驻波比(SWR)和温漂。进一步，微结构被用来减小器件的尺寸和感应薄膜的厚度， 提高传感器的灵敏度。 器件包括—个硅片上的两个独立的热偶。下图是一个热偶的截面图和器件正面照片。 田 毫 图l热偶截面图 图2元件正面照片 薄膜由从硅底层背面可控的各向异性刻馊获得。扩散区由在P型硅晶体上磷的重掺杂 毒 形成。在谖区域的一端，连接金导线是热偶的冷结，在另一端{妻触1h斟腠维为热涡的热结。 扩散区是热偶的—臂，Ta2N膜是另——臂。微波功率话戥嘘1a抖加热热结上，使热结的温度 高于冷结的温度，从而在热偶E产生一直流电压。热结和冷结闻的温度差和直流电压正比于 耗敏的功率，如果热偶工作电阻与同轴传输系统电阻匹配适当，该珐率等于被测源的功率。 该器件灵敏度可达200u u V／roW，i『狈蚴率范围从Iw到lOOmW，频率范围IOMHz烈 I813Hz。 为进—步提高微波功率传感器的灵敏度，E述结构还存在—些问题。 首先，在大功率条件下热偶温度较高，由于热偶电阻中的si具有较高的电阳温度系数， 热偶电阻观瓣移獭输入系统电阻不匹配引自瀚入，皴反射．耗戡啦断潜于源功率，引 ● 起较大误差。 其次，传感器灵敏度公式为 R，：坚号生U (1) ，O ● 其中aI：为热电功率塞贝克系数： △T为热偶冷热结温度差； R为输入功率。 为掘葛灵敏度．需加大酬黜＆度差。由于硅是热的怠导体，必须减小翳韵厚廖帮导热的 通道使在低功率输入时也存在一定的温度差。在一定程度上传感器的灵敏度决定于膜的厚 度。在该结构中膜厚约为0．005ram，其低功率温度差仍不够。 热电功率塞贝克系数公式为 (2) ％娟3[2+In等竽十吾b嘉] 其中n=杂质浓度(era-3) 醐对温变(K) 公式说明可通过适当选择杂质浓度控锚热电功率，并且考虑热电功率髓温度变化的效果。同 时，杂质浓度决定硅构阻值，所以必须在获得尽量高羽灵敏度和小的阻值之问进行折衷。 三新结构设计 在【2l中提出一种结构，为