Al／α—Si复合膜中非晶硅的晶化研究.pdfVIP

维普资讯 四Jll太学学报(自然科学版) JournalofSichuan University NaturalScience Edition VoI．28 No．2 1991 Al／—Si复合膜中非晶硅晶化研究 蔡 伟 万德锐 文秀英 (材料科学系) (分析涮试中心) 摘 要 研究了Alia—Si复合膜 中非晶硅的晶化问题．口一si膜在与 A1相接触条 件 下 ，其晶他温度下降，在350。C下遢火几分钟，产生晶化转变．而单独的 si膜 的品他温度是700C． 关褚词 非晶硅，晶化转变 ，复合瑛，晶化温度． 中圈法分类号 TN304．8，0795． 1 引 言 非 晶态从热力学角度上看是亚稳态，存在着向晶态转化的趋势，即非晶稳定性问题． 孤立的非晶态材科的稳定性并不能代表巳处在器条件中的非晶态的的稳定性．因为在器 件制作 和 使 用过程中，作为电极或引线的金属总是件要和非晶材科接触，金属的接触 将会对界面附近的非 晶材料稳定性产生影响．早在1969年 Oki等人…就发现 一Ge与金 属接触可以大大降低 一Ge的晶化温度．文 2【】也研究了 —Gc／Au双层膜退火后的晶t}匕 问题．非晶硅阳光电池的制作 中常用 Al作电极，器件中不可避免有 一SiI-I／A1的界面 存在，Al对 一si的稳定性及晶化会有什么样 的影响，是值得研究的问题．在我们的实 验 中观察到，孤立的 一8li胰的晶化温度较高，在700℃以上温度退火处理才出现晶化． 但与 Al相接触的 一si膜，在350~C时就出现晶化，即存在 Al对 一si的诱导 晶 化． 同时我们也发现，这一晶化与 Al和 a-Si的接触界面的情况有关 ．对此我们进 行 了初 步讨论 ． 2 实 验 方 法 采用具有双蒸发源的真空镀膜机，在l×10 托真空下，在 KC1单 晶 的 新鲜解理 面上，先后蒸积30~40nm厚的铝膜和 口一si膜 (先蒸铝)，制备出Al 一Si双 层 胰， 在流动的纯氩气氛保护下，于 管 式电炉中进行退火处理．退火温度从100T到500~；， 退火时间分另J【为5rain、lh．3h等等…退火后之膜放置在 电镜样品支持铜网上，用 JEM - lOOcx型透射 电镜进行了观察和 电子衍射 分析． 本文于1990年3月12日收到 维普资讯 维普资讯 第2期 蔡伟等：A1／a—Si复合膜 中非晶硅晶化研究 179 单独的 口一si膜，低于700~G的温 度 下 退火lh，均未 出现 晶化转变，在700~G以 上 才观察到非 晶态 向晶态的转变． 从 AI-Si平衡相 圈 可 知，铝 与 硅 之 间不存在化台物，只能形成共晶台金，然而 AI—Si共晶温度为577℃，在350C时不可能 有任何液相存在．我们的实验表明，口一Si与 金属铝的接触，在 比孤立的 a-Si膜晶化 温 度 (7