SM热化学烧孔方式的信息存储T～写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响.pdfVIP

Vo1．22 高等 学校 化 学 学报 No 7 2oo1年 7月 CHEMICA1．JOURNA[OFCHINESEUN[VERSITIES 22 ～ l224 [研究快报] STM 热化学烧孔方式的信息存储 ～ 写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响 雷晓钧 陈海峰 刘忠范 (北京大学化学与分子工程学院．北京大学纳米科学技术中心．北京 100871) 关键词 STM；信息存储}热化学成 L；THB 中国分类号 O847．1 文献标识码 A 文章编号2001)07—1222—03 以扫描探针显微技术(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年的研究热点．前文 利用 STM针 尖在TEA(TCNQ)：单晶上施加电压脉冲，得到了超高密度信息孔点阵，提出了热化学烧孔方式的 STM信息存储技术，在STM扫描成像的过程中，隧道电流会流经样品，产生焦尔热．但通常扫描成 像过程中的隧穿电流较小，焦耳热也较小．如能找到一种二元复合材料，一组分沸点较低，且与另一 组分的结合能较弱，当足够大的电流流经时，所产生的焦耳热可能使低沸点的组分气化逸出，在样品 表面形成纳米尺度的信息点．我们称这种存储模式为热化学烧孔方式的STM存储．基于这一思想，我 们选择电荷转移复合物TEA(TCNQ)作为存储材料，用STM 写下了纳米级的信息孔．本文通过改变 写入电压脉冲的脉幅和脉宽 控制孔的大小 并对孔大小与脉冲电压的关系进行了理论推导和分析． 1 实验方法 1．1 TEA(TCNQ)。单晶的制备 参照文献_r23~,3方法合成了TEA(TCNQ)2(Triethyammonumbis一 7，7，8，8-tetracyanoquinodimethane)，所用试剂TCNQ购于Adrich，纯度 98 ．三乙胺、四氢呋喃、乙 氰均为分析纯试剂，经氢化钙去水处理．TCNQ溶于四氢呋哺中，加热沸腾后加入三 乙胺，数小时后 复合盐晶体析出，静置后经过滤分离，在 乙氰中培养单品，可得到片状晶体，其尺寸为 3．0mm× 1．0mm×0．2mm．TEA(TcNQ)是电荷转移复合物，在空气中很稳定，具有一定的导电性一1，适于 STM成像．其所含的两种组分中，TCNQ熔点较高(560~562,K)，很稳定，TEA沸点较低(362K)， 两组分通过部分电荷转移形成复合物，结合力低于通常的化学键，加热到468K时可气化分解 ]． 1．2 STM 实验 将上述单晶样品用导电胶固定在STM仪器(Nano~opeⅢ，DI)的专用铁片上，其中 晶体 面 3【]是实验研究的表面，与STM 针尖垂直．所用 STM 针尖是Pt／lr针尖(Pt80 、Ir2O )． 给样品施加 电脉冲时，使用了本实验室开发的一套与NanoscopeⅡSPM 相配合的纳米加工系统 及 NanoscopeⅢSPM 本身所含的刻写模块． 2 结果与讨论 针尖在 以100mV偏压、90pA隧道 电流扫描时，加 6V×10 s的脉冲，可得到清晰的5×5的 纳米孔点阵，孔大小均一，直径在50D．m左右(图1)．研究发现，改变写入脉冲的幅值和宽度，可以在 一 定范围内控制孔的大小．图2(A)中，固定脉宽(50 s)，增加脉冲幅值，从 2v开始，每次增加0．5 v，直到9．5V．可观察到，当脉幅低于3．5V时、样品表面未能形成孔．脉幅高于3．5V时，有清晰 的孔形成，并且孔的尺寸随脉幅增加而增加．图2(B)给出了孔尺寸与脉幅的曲线，当脉幅从 3．5V增 加到9．jv时，相应地孔径和孔深都增大，孔径从 2Onm增加到 59nm，孔深从 2nm增加到20nm． 收祷 日期：200I一0118 基金项 目：国家 自然科学基金重大项 目批准号；6989022)、国家 自然科学基金 (批准号和国家燕出青年科学基金(批 准号资助． 鞋系人简舟：剂忠范 (1962年出生)．男、博士、教授，博士生导师，巩事纳米化学研究． 雷晓钩等：STM 热化学烧孔方式的信息存储 ≤ 0zs／,1ms,2