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不同氩气与氢气流量比对硼掺杂纳米金刚石膜的影响* 姜兆炎 彭鸿雁 姜宏伟 尹龙承 牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室，黑龙江牡丹江157012 摘 要：采用直流热阴极PCVD方法，以B(OCH3)3作为硼源，通过改变氩气与氢气流量比，在p型Si衬底 上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气与氢气流最比对掺硼金刚石膜生长的影响。采用扫描电 子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对样品的形貌、结构和导电性能进行了表征。结果表 明，随着氩气与氢气流量比的增加，膜的晶粒尺寸由微米级向纳米级转变，并且膜中非晶碳成分增多，膜 的导电性能变好。 直流热阴极PCVD；氩气；硼掺杂；纳米金刚石膜 O484 A 1002-0322(2011)05-0091-04 InfluenceofAr/H2flowratioonboron-dopednanocrystallinediamondfilms JIANGZhao-yan PENGHong-yanJIANGHong-weiYINLong-cheng 2011-03-26 姜兆炎 （1985-），女，黑龙江省勃利县人，硕士。 黑龙江省自然科学基金项目(E200823)；黑龙江省科技攻关项目(GC06A213)；黑龙江省教育厅重点科技项 目(11551z016);哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室开放基金资助课题(QA200805)。 于硼掺杂使 观察到的 @@[4]JiangX,ZhangWJ.PaulMetal.Diamondfilmorientation byionbombardmentduringdeposition[J].Appl.Phys.Lett. 1996,68:1927. @@[5]李建国，等.反应气体对纳米金刚石薄膜的显微力学 特性影响[J].金刚石与磨料磨具工程，2009(1)：13-17. @@[6]吕江维，等.硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生 长特性的影响[J].无机材料学报，2009，24(3)： 607-611. @@[7]李春燕.掺硼金刚石膜的制备及其电学性能研究[D]. @@[1] Field J E. The Properties ofNatural and Synthetic 长春：吉林大学，2006. Diamond[M].NewYork:AcademicPress,1992. @@[8]满卫东，等.微波CVD法低温制备纳米金刚石薄膜[J]. @@[2]Gruen DM.Nanocrystallinediamondfilms[J].Annual 武汉化工学院学报，2006,28(4):57-61. ReviewofMaterialsScience,1999,29(1):211-259. @@[9]周艳丽，只金芳，张向飞，等.三种碳基电极材料的电 @@[3]李柳暗.压强及氮气对HFCVD硼掺杂金刚石膜的制 化学性质对比研究[J].物理化学学报，2010，26(9)： 备及性能影响[D].长春：吉林大学，2010. 2405-2409.