真空微电子压力传感器封装技术的实验的研究.pdfVIP

S1^c’99 真空微电子压力传感器封装技术的实验研究’ 夏善红陶新听苏杰贾水生祝侃陈绍凤 (中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080) 摹 摘要本文简要介绍了作者近期在新型真空微电子压力传感器研究 方面取得的进展，着重介绍真空微电子压力传感器封装的实验研究。 鲁 一．引言 真空微电子传感器研究始于九十年代初期f12I，目前还处于实验室研究阶 J、磁f1¨“、 段。国际上已见报道的真空微电子传感器包括压力13-91、加速度110 图象传感器(I副等。我们传感技术国家重点实验室北方基地从1995年 起开展真空微电子传感器研究，已对真空微电子压力传感器进行了包 括理论研究、计算机模拟和实验制作的多方面探索，提出了“台阶阴极” 和“曲面阴极”n8I、以及的“阴极一敏感膜复合”[”，“l结构的新型真空微 电子压力传感器。本文简要介绍作者最近在真空徽电子压力传感器封装的 实验研究方面所取得的进展。 二．硅一硅键合实验 真空微电子压力传感器制作面临的主要问题之一是传感器封装。从目 前掌握的技术来看，我们认为Si．SiO：键合技术较适宜用来实现真空 微电子压力传感器的阴、阳极封接。我们己对Si．Si、Si-Si02键合技 术进行过预研e”l，近来进行了进一步的实验研究，不仅实现了平面硅 片的直接键合，而且实现了带有三维微结构的硅片的直接键合。 键合的主要步骤包括：(1)表面预处理：用发烟硝酸浸泡20分钟左右： t (2)预键合：将经过预处理的硅片在室温下直接贴合；(3)高温键含：将预键 合好的硅片在氧气环境、10000C左右的温度中进行热处理。 图1的扫摇电镜照片展示了阿对键合成功的硅片，(a)平面硅片键合， (b)带有三维微结构的硅片键合。 三．真空微电子压力传感器封装实验 真空封装是真空微电子压力传感器制备中迄今为止国内外还没有完 +国家863计划和国家自然科学摹金瓷助项目 42 全突破的工艺难点。我们对此进行了较深入的研究并取得了进展。 l一 ·≯翟7曼 ■ ；r 7—多’薯厂y{穹： 0 (a) (b) 图l硅片键台的扫描电镜照片，(a)平面硅片键台，(b)带 有三维微结构的硅片键合。 (a) (b) ■ 图2VME传感器样品的扫描电镜照片．(a)器件外形．(b) 器件样品的横断面。 为了简化封装工艺，作苦提出并采用了新型的“阴极一敏感膜复合” 结构。普通真空微电子堆力传感器一般将场发射阴极和压力敏感膜分别制 作在不同的基片J：．并且一般以压力敏感膜作为阳极。为了保证传感器工 作在最佳状态，传感器封装时需将场发射阴极与阳极压力敏感膜高精度对 准。由于真空微电子传感器嚼于微结构传感器，阴、阳糨乏尺寸很小(一般 为几百微米)，场发射阴极与压力敏感膜的对准精度需控制在几微米以由a 这样的对准精度往往要借助于显微镜才能实现，给传感器封装