模拟电子技术试题(D).docVIP

一、选择题 第一章： 1.PN结加正向电压时，空间电荷将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN结加反向电压时，空间变电荷区将（ ）。 A．变价 B. 变窄 C.基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A.增大 B.不变 C.减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A.不变 B.左移 C.右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7.当晶体管工作在发达区时，发射结电压和集电结电压应为（　）。 Ａ.前者反偏，后者也反偏　Ｂ.前者正偏，后者后偏　Ｃ.前者正偏，后者也正 ８.工作在放大区的某三极管，如果当从12增大到22,从1mA变为1.9mA,那么它的约为（ ）。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 9.工作在放大区的某三极管，如果当从1mA变为1.9mA，从1.01mA变为1.92mA，那么它的约为（ ）。 A.1 B.83.3 C. 86.4 10.对于n沟道增强型MOS管，只能满足（ ）,管子才能工作在恒流区。 A. - B.- C.=- 11.对于n沟道增强型