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1993年9月 西 安 电 子 科 技 大 学 学 报 Sep．1993 第2O卷 第3期 JOURNAL OF XIDIAN UNIVER$ITY Vol,2(INo．3 ③ 61 ] 高压PS光导开关的瞬时特性 石顺祥 鲍吉 朱立峰 詹玉书 — 一 ——蕊 理系 摘要 该文考虑 了载流子的漂移效应，在不同激励光脉冲参量和不同光导开关 结构情况下，数值计算了光导开关输出电脉冲的瞬时特性，得到了对设计光导开关器 件及应用有指导意义的结论。 关键词：光导开关；漂移效应；超短毒脉 ；超短电脉冲 一 ～ 一 一 r一 卜一 l 引 言 自从1975年Auston 首次利用si材料制成光导开关以来，人们对光导开关的特性及 其应用进行了广泛的研究0]。其 中，KennethK． Li等人[33对光导开关的瞬时工作特性进行了数 值计算。但是，在Kenneth的实际计算中，只考 虑了载流子的扩散效应，因此，他所给出的输出 电压的瞬时特性结果，实际上只适于低偏压工 作的情况。作者根据实际的高偏压光导开关工 作的条件，考虑了载流子的漂移效应，对其进行 了数值计算，分析了激励超短光脉冲和器件结 图1光导开关电路示意 构参量对光导开关输出电压的影响，得到了对器件的设计和应用有指导意义的结论。 2 高压光导开关的瞬时特性 等爹一 ·)+。_(可‘一詈+，一 一 一 · (营)+Dt ·( )一2 r．I--F]， - 国家 自然科学基金资助项 目，收稿 日期：1992—07一明 · 34· 西安电子科技大学学报 第3期 寿命；苗是光导开关缝隙中的电场强度；，．，，，是超短光脉冲对电子、空穴载流子浓度的产 生率 ，且有 ，一 )(1一 跏 一 a是光沿 。方 向透射半导体材料的吸收系数， 是缝隙表面的反射率，，Jo0，，)是入射光强 度，^是入射光子能量。方程(1)右边第1项反映了载流子漂移效应的贡献，第2项反映了载 流子扩散效应的贡献，第3项反映了载流子的复合衰减 考虑到实际的高偏置电压工作条件，文中进行了如下的近似和假设 ： (1)假设光导开关缝隙中的电场是均匀分布的(作者进行了均匀分布与非均匀分布情 况下的光导值的比较，其最大差别小于百分之十几)，且因偏置电压较高，可以认为电场矢量 沿 方向，有 一 (2)在高偏置电压工作的情况下，扩散效应的贡献可以忽略不计，只考虑漂移效应的贡 献。 (3)不计半导体材料杂质、缺陷的影响，认为电极为欧姆接触，视电子、空穴载流子的复 合寿命相等，—fJ—f。 (4)入射超短光脉冲的时间、空间均为高斯分布，其光强表示式为 卜 。+ 式中 o是高斯光束的束腰 。对于宽度为z的缝隙，最佳聚焦条件为 o=0．67t。参量 与光 脉冲宽度 的关系为 T 一 — ! 2— - ／li~ ． (5)仅计光激励产生载波子，并且考虑到电子、空穴总是成对出现，可视，．一，产 ，