LED技术指标.docVIP

本文由bydzhongliang贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 LED 技术指标介绍 这是指单个 LEDIF=20mA 下。随着功率型 LED 开发应用， 临时以来总认为 LED 寿命为 106 小 时。国外学者认为以 LED 光衰减百分比数值作为寿命的依据。如 LED 光衰减为原来 35%寿命＞6000h LED 电子显示屏利用化合物资料制成 pn 结的光电器件。具备 pn 结结型器件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1led 电学特性 即外加正偏压表示低接触电阻， 1.1I-V 特性表征 LED 芯片 pn 结制备性能主要参数。LEDI-V 特性具有非线 性、整流性质：单向导电性。反之为高接触电阻。 当 V＜Va 外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场， 1 正向死区：图 oa 或 oa′段）a 点对于 V0 为开启电压。此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同，GaA 为 1V 红色 GaA sP 为 1.2VGaP 为 1.8VGaN 为 2.5V 2 正向工作区：电流 IF 与外加电压呈指数关系 IF=ISeqVF/KT–1-IS 为反向饱和电流 V＞VF 正向工作区 IF 随 VF 指数上升 IF=ISeqVF/K V＞0 时。T 3 反向死区 V＜0 时 pn 结加反偏压 反向漏电流 IRV=-5V 时， V=-VR 时。GaP 为 0VGaN 为 10uA 则出现 IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物资料种类不同， 4 反向击穿区 V＜-VRVR 称为反向击穿电压；VR 电压对应 IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使 V＜-VR 时。各种 LED 反向击穿 电压 VR 也不同。 1.2C-V 特性 使其结电容（零偏压）C≈n+pf 左右。 鉴于 LED 芯片有 99mil250250um1010mil1111mil280280um1212mil300300um 故 pn 结面积大小不一。 C-V 特性呈二次函数关系（如图 2 由 1MHZ 交流信号用 C-V 特性测试仪测得。 1.3 最大允许功耗 PFm 当流过 LED 电流为 IF 管压降为 UF 则功率消耗为 P=UFIF 外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，LED 工作时。还有一局部变为热，使结温升高。若结温为 Tj 外部环境温度为 Ta 则当 Tj＞Ta 时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率）可表示为 P=KTTj– Ta 1.4 响应时间 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示 LCD 液晶显示）约 10-3~10-5SCRTPDPLED 都达到 10-6~10-7Sus 级） 就是 LED 点亮与熄灭所延迟的时间， ① 响应时间从使用角度来看。即图中 trtf 图中 t0 值很小，可忽略。 ② 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 一直到发光亮度达到正常值的 90%所经历的时间。 点亮时间—上升时间 tr 指接通电源使发 LED 光亮度达到正常的 10%开始。 LED 熄灭时间—下降时间 tf 指正常发光减弱至原来的 10%所经历的时间。 不同资料制得的 LED 响应时间各不相同； GaA GaA sPGaA lA 其响应时间＜10-9SGaP 为 10-7S 如 因此它可用在 10~100MHZ 高频系统。 可描述为 Bt=BOe-t/τ，老化：LED 发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。器件 老化水平与外加恒流源的大小有关。Bt 为 t 时间后的亮度，BO 为初始亮度。通常以推算求得寿命。丈量方 法：给 LED 通以一定恒流源，通常把亮度降到 Bt=1/2BO 所经历的时间 t 称为二极管的寿命。测定 t 要花很 长的时间。点燃 103~104 小时后，先后测得 OBt=1000~10000 代入 Bt=BOe-t/τ 求出 τ；再把 Bt=1/2BO 代 入，可求出寿命 t 白光 LED 的荧光粉 白光 LED 的显色指数（CRI）与蓝光芯片、YAG 荧光粉、相关色温等有关，其中最重要的是 YAG 粉，不同色 温区的 LED，用的粉及蓝光芯片不一样。目的色温越低的管子用的粉发射峰值要越长，芯片的峰值也要长， 低于 4000K