02半导体三极管及放大电路分析基础.ppt

第二章 半导体三极管及放大电路分析基础 半导体三极管又称双极型晶体管（简称晶体管），是组成各种放大电路的核心器件。本章首先讨论晶体管的结构、分类、工作原理、特性曲线及主要参数，然后着重讨论放大电路的三种组态。以图解法和微变等效电路法作为放大电路的基本分析方法，分析电路的静态工作点和动态技指标。 2.1?????? 半导体三极管 2.1.1?? 基本结构 晶体管的种类很多,按照功率的大小分,有小功率管、大功率管等;按照半导体材料分,有硅管和锗管；按PN结组合的方式可NPN型和PNP型。但从总体上讲它们都是具有两个PN结、三个电极的半导体器件。 2.1.2??????晶体管的电流放大作用 要使晶体管处于放大状态，必须由它的内部结构和外部条件来保证。 一、晶体管内部结构具有的三个特点： （1）发射区掺杂多，多数载流子浓度远大于基区多数载流子的浓度。 （2）基区做得很薄，而且掺杂少。 （3）集电区面积大，保证尽可能收集到发射区发射多数载流子。 二、晶体管的外部条件 应满足其发射结处正向偏置、集电结反向偏置。 三、NPN管共发射极放大电路的放大过程 1 载流子运动情况 （1） 发射区向基区发射自由电子,形成电流的方向相同,称之为发射极电流IE 。 （2） 自由电子在基区的扩散和复合运动,形成了基极电流IB （3） 集电区收集自由电子，形成较大的集电极电流IC 。 2 电流的分配与放大作用 由上述载流子的运动情况的分析可知，集电结收集的电子流是发射结发射的总电流的一部分，其数值小于但接近于发射极电流，常用一系数与发射极电流的乘积来表示，即 IC=āIE （2.1.1） 称为共基极连接时的电流放大系数，其数值小于但接近于1。 根据放大电路，晶体管各极的电流关系为 IE=IC+ IB （2.1.2） IB=(1- ā )IE （2.1.3） （2.1.4） 称为共射极电路直流电流放大系数 称为共射极 交流电流放大系数 2.1.3?????三晶体管的特性曲线 1 输入特性曲线 共射极输入特性曲线是指以输出电压UCE为参考变量时,输入电流IB和输入电压UBE的关系曲线。用函数表示为IB=f(UBE)│UCE=常数 与二极管伏安特性相似,晶体管的输入特性曲线也存在死区,且其死区电压分别等于硅二极管和锗二极管的死区电压。正常工作时,硅晶体管的发射结电压为0.6～0.7V,锗晶体管为0.2～0.3V。 2 输出特性曲线 共发射极输出特性曲线是指以输入电流IB为参考变量时,输出电流IC和输出电压UCE的关系曲线。用函数表示为 IC=f(UCE)│IB=常数 输出特性曲线可分为三个区域：放大区、饱和区和截止区 3 ??输出特性曲线三个区域的特点 （1） 放大区（又称线性区） 发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置。晶体管工作在放大区。此时晶体管具有电流放大作用，IC=βIB 。 （2） 饱和区 发射结和集电结均处于正向偏置, IC=βIB的关系不再成立，IC不再随IB增加而增加。深度饱和时UCE很小(硅管约为0.3V,锗管约为0.1V),此时晶体管集电极C和发射极E之间相当于开关合上。 （3） 截止区 发射结和集电结均处于反向偏置。此时IB=0，IE=0，C与E之间没有电流流过，相当于开关断开。 2.1.4???????主要参数 ⒈ 电流放大系数 （1）共发射极电流放大系数 与β定义不同, 反映静态时的电流放大特性，β反映动态时的电流放大特性。在线性区内两者数值相近,故在一般估算中,可认为 ≈β。 （2） 共基极电流放大系数 同样，在线性区内两者数值相近,故在一般估算中,可认为 ≈α 2 . 极间反向电流 （1） 集—基反向饱和电流ICBO ICBO为发射极开路时,集电极与基极间的反向饱和电流。小功率硅管ICBO在1μA以下,锗管ICBO约为10μA左右。 （2） 穿透电流ICEO ICEO为基极开路时从集电极穿过基极到达发射极的电流 。 ICEO=ICBO+βICBO=