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IC封裝製程 針對封裝製程做介紹封裝製程主要包含8個站別，一般封裝廠會將製程前後段做管理 晶片切割（Die Saw） 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（Die）切割分離。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。 黏晶（Die Dond） 黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠（Epoxy）黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（Magazine）內，以送至下一製程進行銲線。 銲線（Wire Bond） 銲線乃是將晶粒上的接點以極細的金線（18～50μm）連接到導線架之內引腳，進而藉此將IC 晶粒之電路訊號傳輸至外界。 封膠 （Mold） 封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支 持導 線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為 將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓 模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。 印字 （Mark） 印字乃將字體印於構裝完的膠體之上，其目的在於註明 商品 之規格及製造者等資訊。 植球 （Ball Plant） 在基板背面植上錫球以利於客戶端上板作導通電性。 剪切/成形 （Trim /Form） 剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並 把不 需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（Dejunk）。成形之 目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀 ，以便於裝置 於電路版上使用。剪切與成形主要由一部衝壓機配上多套不 同製程之模具，加上進料及出料機構 所組成。 檢驗 （Inspection） 檢驗之目的為確定構裝完成之產品是否合於使用。其中項目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字 是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗。 晶片的製作過程中，無論是用於開發測試，還是用於最終的元件，選擇合適的封裝，能縮短上市時間且帶來切實的利益。 開口腔型封裝 適合於聚焦離子束(FIB)分析和開發過程中依賴於探針測量的半導體元件。 舊：陶瓷封裝、貴、無法對高速訊號的完整性進行精確評估 新：常見形式的開口腔型封裝QFN/MLP、QFP和SOIC/SSP預鑄的封裝滿足最新的JEDEC外形和接腳跡線標準。透過對其銅接腳進行鍍金滿足軍用標準，有穩定的機械性能，並具有與在大量產中所用的全密封封裝非常相近的電性能。典型的封裝尺寸從3x3mm到10x10mm。 1：目前開口腔型封裝適用於表面安裝和接腳型元件的各類塑封封裝中，如QFN和SSOIC 晶片級封裝 成本低，體積小，性能高等原因，晶片級封裝正日益普及。能為晶片表面提供保護，將PCB和晶片間的應力減到最小，且易改變晶片和PCB之間的互連。內部互連的距離最短，其高速訊號性能特別好。與傳統的晶片製造、切片和封裝製程不同，晶片的晶片級封裝先對整個晶片進行完全封裝後再進行切片分割。 圖2：晶片級封裝將矽片的切割放到製程的後端。 實現一個CSP的過程為：先用一層鈍化材料(聚醯亞胺)覆蓋晶片，然後蝕刻到接合焊盤的過孔，這些接合焊盤通常位於每個元件的週邊，在用導體材料來填充過孔。然後沈積連接過孔頂端的銅線層，形成整個晶片上方的矩陣連線圖。透過焊料泵衝來實現連接PCB的焊球，實現的方法是先沈積一厚層的鈍化材料，然後蝕刻過孔到所期望的連接點上，再用焊料填充過孔。然後去除鈍化頂層，表面張力的作用將成排的焊接點形狀變成球形。最終形成圖3所示的結構形狀。透過將關鍵訊號放置到元件的外面，使它們與晶片的連接距離最短，可以實現最高的性能。另外因為在晶片的周圍沒有絕緣封裝層，熱量容易被耗散掉，因此晶片級封裝還提供了非常好的熱性能。 圖3：具有焊料衝塊的晶片級封裝。 晶片疊層封裝 當X-Y平面上的空間非常稀缺時，可以採用疊層封裝。疊層封裝非常高效率地利用母板面積，減少了尺寸和重量，降低了系統成本。利用MPW方法，再加上疊層封裝，可以使複雜系統的建模快於開發單晶片。因此，採用疊層封裝是在將所有類型的電路移入單一製程過程中驗證設計是否符合系統要求的好方法。例如，設計中的快閃記憶體，數位電路和類比電路可以用不同的晶片製造，然後放置到同一封裝中。這種封裝形式帶來了一定的靈活性，可以將定製晶片與商用現成晶片結合在一起來降低成本。在進行層疊之前要對晶片進行測試，以確保用的都是已知的好晶片(KGD)，因而將浪費減到最小。 在實現疊層結構時有三種不同的方案：同尺寸晶片堆疊，金字塔式堆疊，懸吊式交叉堆疊 圖4a：金字塔式堆疊 圖4b：相同尺寸晶片堆疊 圖4c：懸吊式交叉堆疊 當所用的晶片只有兩片時，最高封裝高度通常為1.4mm以內。當電路板的面積特別有限時，可以堆疊3片甚至更多的晶片，但高度會高一些。堆疊封裝