反向偏压调制下Ⅰ型阱结构体系光致发光特性研究.pdfVIP

朱海娜等：反向偏压调制下I型阱结构体系光致发光特性的研究 文章编号：1006—6268(2013)04—0051—05 11 中德职业技术学院校级科研项目(zdkt2012—017) 26．com 。通讯联系人：zhn71@1 反向偏压调制下_型阱结构体系 光致发光特性的研究 朱海娜1，徐征2，郑宁1，张链1，陈子坚1 (1天津中德职业技术学院。天津。300350； 2北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，光电子技术研究所，北京100044) 摘要：实验过程中研究了8一hydroxyq—uinoline 光。器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光。不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下，光致 发光的猝灭程度不同。 关键词：光致发光；猝灭；阱结构；光谱 中图分类号：0482．3 文献标识码：A onthe of I well Study photoluminescencepropertiestypequantum underreversebiasmodulation system ZHU ZHANG Hai-nal，XU Lianl,CHEN Zhen92，ZHENGNin91 Zi-jianl (1 Sino-GermanVocationalTechnical 300350 Tianjin College，Tianjin 2 ofLuminescenceand of Information，Institute KeyLaboratory Optical Optoelectronic 1 Technology，BeijingJiaotongUniversity，Beijing00044) Abstract：The of devicesof I well structure photoluminescenceorganic typequantum of and consisting8-hydroxyq‘一uinolineaIuminum(AIq3) 2一14一biphenylyl)一5 reversebiasmodulationhavebeen (4一tert—butyl—phenyl)一1，3，4一oxadiazole(PBD)under studied．Photoluminescenceofthes