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电力电子建模仿真..docVIP

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电力电子建模仿真..doc

摘要 本设计是一个单相全控整流桥装置的建模与仿真,此整流装置采用了四个晶闸管组成了桥式整流装置,电源为单相电源,负载为电阻、电感、反电动势负载,其中电源电压有效值U=120V,反电动势E=80V,R=120Ω,电感L=200mH,α=60°。 关键词 单相全控 桥式 晶闸管 电阻电感反电动势负载 第一章 摘要关键词及仿真电路组成原理分析 一.主电路组成原理分析 1.仿真电路图 2.原理分析 在单相桥式全空整流电路中,晶闸管VT1和VT4组成一对桥臂,VT2和VT3组成另一对桥臂。在u2正半周(即a点电位高于b点电位),若4个晶闸管均不导通,负载电流id为零,ud也为零,VT1、VT4串联承受电压u2,设VT1和VT4的漏电阻相等,则各承受u2的一半。若在触发角α处给VT1和VT4加触发脉冲,VT1和VT4即导通,电流从电源a端经VT1、R、L、E、VT4流回电源b端。当u2过零时,由于电感的作用晶闸管VT1和VT4中仍流过电流id并不关断。直至ωt=π+α,并且|u2|E时,给VT2和VT3加触发脉冲,VT2和VT3导通。VT2和VT3导通后,u2通过VT2和VT3分别向VT1和VT4施加反压使VT1和VT4关断,至下一周重复上述过程,如此循环下去。 第二章 驱动电路的设计 一. 驱动电路的设计 晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在学要的时刻由阻断转为导通。晶闸管触发电路往往包括触发时刻进行控制相位控制电路、触发脉冲的放大和输出环节。触发脉冲的放大和输出环节中,晶闸管触发电路应满足下列要求: (1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通,三相全控桥式电路应采用宽于60°或采用相隔60°的双窄脉冲。 (2)触发脉冲应有足够的幅度,对户外寒冷场合,脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流3~5倍,脉冲前沿的陡度也需增加,一般需达1~2A∕us。 (3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额,且在门极的伏安特性的可靠触发区域之内。 (4)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 在本设计中最主要的是第1、2条。理想的触发脉冲电流波形如下图。 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 -----脉冲前沿上升时间() ----强脉冲宽度 ---强脉冲幅值() ---脉冲宽度 --脉冲平顶幅值() 晶闸管触发电路类型很多,有分立式、集成式和数字式,分立式相控同步模拟电路相对来说电路比较复杂;数字式触发器可以在单片机上来实现,需要通过编程来实现,本设计不采用。本设计采用的驱动电路如右图: 它由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器 TM及附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。当 V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和 阴极之间输出触发脉冲。VD1和R3是为了V1、V2 由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其存储的能量 而设的。为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分,还 需适当附加其他电路环节。 第三章 仿真模型图原理及分析 一.仿真模型图 二.原理分析 1.开关器件模型 此仿真采用如右图所示的开关器件统一模型来模拟实际晶闸管,其特性 曲线如下图所示。当外加电压大于EFVD,且触发脉冲IPUL为1时,触发导 通;当外加正向电压大于正向击穿电压EBO时,器件被击穿;而当器件电流 降到0时关断。此模型除了不能模拟器件的存储效应等动态过程外,可以相 当好地给出装置的仿真结果。 2.触发电路模型 触发电路则以脉冲发生器VPULSE来模拟,即模型图中的V3、V4、V5、V6。只要设置好参数就可以得到想要的控制效果。如α为360°对应TD=20ms,所以此仿真为TD=3.33ms和TD=13.33ms,即α=60°。其他参数为TF=0.1ms,PW=1ms,PER=20ms,V1=0V,V2=10V,TR=0.1ms。 3.电源模型 电源采用一个VSIN电压源即可,按照要求电压有效值VAMPL=120V,频率FREQ=50HZ,关断电压VOFF=0V。 第四章 仿真结果及改进措施 一.仿真结果及分析 1.仿真结果 此仿真可以对很多电量进行分析,如负载电压、负载电流、晶闸管电压电流等,详细情况如下(截图均为50ms仿真图): 1.电源电压U2 2.电源电流I2 3.电流IVT1、TVT4(两者几乎相同) 4.电流IVT2、IVT3(两者几乎相同) 5.电压IVT1、IVT4(两者几乎相同) 6. 电压IVT2、IVT3(两者几乎相同) 7. 负载电压Ud 8.负载电流Id 2.仿真结果分析 该仿真总共仿真了100ms,最小步长为2us,总用时35.3秒,结果鉴于西安交通大学王兆安、黄俊主编的《电力电子技术》第4版,第2章整流电路中的2.1节单相可控整流电路,基本满意,虽然有些许

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