高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质对比研究.pdfVIP

鳓1‘七隅拿目半导体物日学术含议论i集 中陶·K存2009年8月16H-20日 高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究 许福军，沈波’，苗振林，来杰，杨志坚．张国义 北京大学物理学院．人工镟结构和彳r观物理国家重点实验室，北京100871 educn Email：bshen@pku 引言： GaN中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从洼施主或导带到深受主的跃迁。然而， 贡献，YL的深受主来源仍然址于争论之中。大量的研究表明在1#故意掺杂和n型CaN中， 铢空位(v＆)相关的缺陪．如v。-ON被认为是主要的柬源．相对f非故意掺杂常规和n型 CaN而言，高阻GaN中1忆相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮 灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和 相关的机制。 1实验 采用MOCVD生长了非故意掺杂常规GaN 样品A-C和高阻GaN样品D．E，并用低温PL谱 一 一