多元纳米复合粉体制备压敏陶瓷其晶界相变及陶瓷.pdfVIP

多元纳米复合粉体制各压敏陶瓷其晶界相交及稳定性 康雪雅陶明德王天雕韩英涂铭旌· (中田科学院昔硅物理所鸟鲁术齐北京南路40号附l号930011) ·(四川大学材料工程系成都一环路南—段24号610065) 捕要：本文研究了蚋米复合压教陶瓷粉体制备的徽型压敏芯片在不同漫度退火前后电 性托的稳定性，研究了不同退火’罩度下晶界相结构的转变，研究确定了晶，}耗尽层间隙锌 离子的缺陷类型、缺陷密度与退火温度的关系，在此基础上提出了对稳定性做出贡献的晶 界相变和间隙辟离子迁移的鬟合模型． 一、引言 对已产生蜕变的Zn0压敏陶瓷，经过退火处理，性能可以恢复到蜕变以前的状态II】， 至于退火改善性能的原因．一直没有定论，可能与晶界耗尽层中间腺锌离子向晶界内表面 迁移有关¨]一可能与退火时，晶界卢一所，识或J一占‘以转变为，一历，03相有关[3】． 实验中发现．用纳米粉体制备的压敏陶瓷，对在温度和外加电压条件下性能蜕变的样 品，经过一定温度退火，蜕变现象消失．性能得到改善．对经高温烧结的样品．在使用之 前．在一定温度下遇火．结果发现．经过退火的样品在外界负荷的作用下蜕变现象几乎消 失．这些现象均说明，退火使材料内部发生了变化，提高了器件的稳定性．退火为什么会 提高稳定性?怎样提高稳定性是本文研究的主要问题． 二、实验 t暮．e，口B-j■i Tm‘m， 置1．束遁火样品v．_11．麓时俩的变化规律 w岫ilmefor sample Fllll．ⅦrI-由¨ofM-^lk uimnnuling 电场作用下压敏电压、■电流随时闻的变化规律．从圈1．看出．未退火的样品的电性能在 高于室温的情况下是不稳定的．在100℃，80％V=的Dc电场作用下，经过IBh渭电流从3 p^增加到40uA，压敏电压从92V降低到84V，说明在Dc偏压下，髓时问的延长：漏电流 增加。晶界势垒高度降低．但是在液氯温度下．虽然施加了值压，但随着时间的延长．漏 电流和压敏电压均不改变．即在极低温度下随着时问的延长样品不发生性能的蜕变． ‘1。。”．=公品躁；-”“’” ■土厢t‘压■—业■主娃忆 ■量■●^——火■蚺壹纯 iili2．VmrliWe州●■Fo--■椭^_-_■-■--■一 咐“_-_一a竹t_d—■憎-—H■--■nhn 后压敏电压随退火温度的变化规律．从图中看出．从100～500℃压敏电压随退火温度的升 高而增加．500～600℃达到最大，超过600℃，从600～800℃‘，电压逐渐降低． 图3．是样品的漏电流随退火温度的变化曲线．退火温度在500℃左右漏电流最小，例 uA。 如退火前样品的漏电流是5u^，经过400～600C退火．漏电流降低为0．3～0．5 从图2、图3、看出．退火温度和退火时间对试样的电性能影响很大，在400～600℃ 范围退火，综合电性能达到最佳。 ■‘鼍火■后，砖I懦电t膻时柚的主化 圈s噩火后和放置一曼时阿后■电蠢瞳时间的麦化 柚％VI“-_100Cl锄肚州n ’thed啦删It憎删0口W_sadl舶℃姗畔nt-他 图4．示出，未退火的样品．在80％V，。Dc电压和在100C环境温度下，经过1000分钟 后，漏电流从5u^增加到150uA．经过600℃一3hr退火．在相同的负荷条件和时间范围 内．漏电流基本不变．因此退火使试样的稳定性得到显著提高． 圈5．是经过600℃-3小时退火的样品．将其放置10天以后，在100℃的环境温度下对 其施加80，6的压敏电压．再对其做可靠性考察，从图5．看出退火后和将其放值lO天以后，器 件的漏电流随着时间的延长基本不变．