不同温度制备AZ0薄膜及光电性能的研究.pdfVIP

不同温度制备AZO薄膜及光电性能研究 林之晓，李福山奉，陈景水，郭太良掌 李福山教授 350002： (1．福州大学光电显示1技术研究所福建福州 2．福州大学光电显示技术研究所，福建福州，350002) 摘要； 采用射颇磁撩溅射技术，在不阍的沉积温度条件下，以掺2wt％Ah03的ZnO陶瓷靶作为靶材，在石英玻璃}上制 备ZnO：Al(Azo)透明导电薄膜。本文通过测试不同沉积温度下制备薄膜的x肋圈，透过率曲线，以及薄膜电阻率，载流予浓度， 迁移率泉研究薄膜的缩构及萁光电性能，通避对比分析得到一个最优参数。结果表明：制磐出来的Azo薄膜是六角纤锌矿结 构。具有明显的(002)峰择优取向：薄膜在可觅光区域内的平均透过率为84％左右：不同沉积温度对薄膜的电阻率影响搌 101 Qe一。 关键诲，ZnO：AI薄膜{射频磁控溅射；结构：光电性能 sat ofAZOFilm different Preparation anditsPhotoelec仃ical Properties LIN zhi-xiao，LI fu-shah*,CHENjing—shui，Guotai—liang Informafion ofFuzhou (PhotoclectronicTechnology University，Fuzhou350002，China) films onfusedsilica和b妇锄eatdifferent Abstract：Tl割呵删cond∞tiveAt-dopedZnO(AZO)玳deposited temp=ratum the RF a of 2 ZnO．Inthis films钉m【tII辩and by magnetronsputtn堍璐illgtargetA1203wt．％dope work,weinvestisated concentrationmadHall photoelecuicalbyX-raydiffraction(XRD)，Iralnsmittemce,resistivity,c删er thetestresult．The thattheAZOfilmshave oriented pmmetcranalyzing cc唧辩ql愀indicated a(002)-preferredhexagonal by wunzite the mmmni牡lmceinthevisible isabom84％．The hasa on struetme,and st∞岵effeet average region depositiontemperature the when is 龇decUical mhlimumvalue：7．089x104tkmthe