VLSI中栅氧圆片级可靠性评估技术.pdfVIP

VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术 夏增浪张东明葛岩李荫波赵元富 100076) (北京微电子技术研究所， 北京9243信箱， 摘要：圆片级可靠性(WLR)评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及 时，已成为器件可靠性研究的热点．本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进 行研究，分析了氧化膜失效理论，推导出了斜坡式电压与恒压应力间的关系式，给出了利 用斜坡式电压测试结果，推算器件氧化膜平均寿帝(TDDB)的方法． 一：刖吾 随着集成电路工艺技术的发展．器件的特征尺寸已缩小到亚微米，甚至深亚微米的水 平，电路的集成度太幅提高，而其中MOSFET关键部分一栅氧按照等比例缩小的原则， 也从200埃(1．0微米的工艺)下降到110埃(o5微米的T艺)，甚至60埃(o．35微米的工艺) 影响到芯片的功能．集成的元件越多，发生问题的可能性越大，因此确保大规模集成电路 中栅氧质量是提高电路可靠性的重要途径． 在改善工艺，提高栅氧质量的同时，如何评估栅氧质量可靠性水平也是人们关注的 课题．尤其是如何尽映，尽早对栅氧质量进行评估，从而及时指导工艺更是热门．传统评 估栅氧可靠性的方法是采用TDDB(TimeDielectric DependentBreakdown)技术．它是在栅氧 上施加恒定的电压应力，～直到栅氧击穿，然后将攫取的时问参数TBD代人半均寿命公式， ‘ 求出电场加速因子．并进而外推出正常工作压力下栅氧的寿命．这种评估方法存在着两个 严重的缺点：(1)需要很长时间。因为所加的电压压力比较低，所以栅氧击穿所需的时问很 长，要花费几天甚至几个星期的』坩问：(2)这种技术要求被测器件进行封装，这使得评估成 本大大提高． 进行可靠性评估，即栅氧的片级可靠。陀坪估技术．从测试疗法来说，·可以彳J电流应力和电 压应力两种．I酊依照和时问的关系叉可分为定常模式和斜坡模式。本文将着重探时斜坡电 压应力方法对栅氧质量的评估． ·27· 二：氧化膜可靠性理论 一般说来，氧化膜的放障模式可分为三种，第一种是所谓的针孔(PinHo]e)，它 的击穿电压低，一般可以很容易用电学测量加以排除：第二种为本征性(Intri[ISic)击 穿，击穿电压很高：第三种模式的击穿电压介于第一和第二种模式．属于潜在性(Latent) 失效因素导致氧化物击穿，这种模式会在器件以后的使用中逐渐显现出来。 对于氧化物的击穿模型，最为人们所接受的观点是nl：氧化层分为强区(Robust) 和弱区(Weak)两部分，而氧化膜的工作寿命由弱区性质决定。如图I所示。弱区可等效 为氧化层局部减薄(LocalThinning)的地方。等加』：电压时．在氧化层内部产生比强区 要高的屯场，加速了该区的退化，并最终导致氧化层的击穿。 Vs (a) (b) 图(1)氧化膜盯击芽模型 传统方法评估氧化层可靠性时，必须进行TDDB生命期分析，而依照经验公式， 氧化膜的平均寿命MTTF和外加偏压，温度有关，即： bffTF=C*IO自89ee“7‘7(i) (ev)．T表示工作时环境的绝对温度，而K则为波尔兹曼常数。 三：斜坡式电压压力技术的评估理论 按照上述氧化膜击穿模型，造成氧化层击穿可以认为是在氧化膜的弱区积累了大 量的电荷，氧化膜在经过T。。的时间后，电压应力引入的电荷Q。为：