溶胶-凝胶法制备SnO2薄膜特性分析.pdfVIP

助 铉 材 井 2010年论文集 溶胶一凝胶法制备的Sn02薄膜特性分析。 姜 婷，吴远大，王 明，安俊明，李建光，李 帅，胡雄伟 (中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京100083) 摘要： 采用溶胶一凝胶(sol—gel)法制备了高质量的 Sno。薄膜材料。采用SnCl。·5H。O作为反应前躯 体，无水乙醇作为共溶剂，利用旋转涂覆的方法在Si 片上成膜，经过干燥、退火处理得到SnOz薄膜。采用 X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不 同退火温度下薄膜的性能。研究结果表明，实验所得 到的Sn02薄膜为金红石结构；经过550℃退火处理的 薄膜表面较平坦，且晶粒尺寸较小，非常适合用于气体 传感。 关键词： 溶胶一凝胶；二氧化锡；敏感膜；退火 中图分类号：TB39 文献标识码：A 图1 SnO：溶胶的制备流程 1 引 言 1 The of sol Sn02 Fig fabricatingprocess Sn02是一种广泛应用的气敏材料。一般来说，2．2薄膜的涂覆 SnO：敏感材料主要有烧结型、厚膜型和薄膜型3种， 其中薄膜型SnO：材料在一致性、智能化、小型集成化 等方面有着很大的优势，并且实用性强，因此近年来国 内外对SnO：薄膜材料的研究给予了极大的重视[1J。 3实验结果与讨论 ．目前用来制备SnOz薄膜的方法主要有物理气相 3．1 X射线衍射分析 沉积(PVD)、喷涂热解(spraypyrolysis)、化学气相沉 积(CVD)以及溶胶一凝胶(sol-gel)等[21]。与其它方法 相比，溶胶一凝胶方法具有成本低、工艺简单、反应温度 退火时SnO。薄膜的XRD谱图。 低、成膜速度快等明显优势，成为传感器材料和光电领 瑚 ∞如 ’ ．。 ’ 域研究的热点拍]。 啪 采用SnCI．·5H。O作为反应前躯体，无水乙醇作 枷 ．·。U“jj 为共溶剂，用溶胶一凝胶方法，在Si基片上制备了表面 瑚 均匀的SnO：薄膜。并通过X射线衍射和原子力显微 嘲 镜分析研究了退火温度对薄膜性能的影响。 2溶胶一凝胶法制备Sn02薄膜实验 ．。咄甜．jj 2．1材料的制备 ∞芒，兄善一譬-霉三 溶胶的制备过程如图1所示。实验采用SnCl．· ．j。k厶刊。。“』jj· 5H。O作为反应的前躯体，将69的SnCI。·5HzO溶解 于30raL无水乙醇中，常温搅拌2h。取一定量的去离 子水和甘油加入溶液中，继续搅拌5～6h，过滤后静置 24h即可得到所需的SnOz溶胶。其中，甘油的加入是 。k飞一．“r『_‘|。j 。‘ 为了提高溶胶的粘附性[‘]。 加 ∞