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1.1、芯片封装技术—概念.封装目的及实现的功能封装材料芯片封装技术工艺流程图 7.1 表面贴装技术:SMT,surface mount technology 是一种将表面组装元器件安放在印制电路板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装联技术。（可在PCB板两面进行） 8.1 陶瓷基板的分类： 5.1印刷电路板简介：PCB是以绝缘覆铜板为基材，经过印刷、腐蚀、钻孔及后处理等工序，将电路中的元器件用一组导电图形及孔位制作在覆铜板上，最后成为一定形状的板子。 常见的电路板形式：硬式印刷电路板（Rigid PCB） 软式印刷电路板（Flexible PCB） 金属夹层电路板（Coated Metal Board） 射出成型(注模)电路板（Injection Molded PCB） 按导体电路层数分为：单面、双面、多层印制电路板 9.1 塑料封装：塑料封装是指对半导体器件和电路芯片采用树脂等材料进行包封的一类封 装。一般认为属非气密封装。 特点：工艺简单、成本低廉、适合自动化大批生产。约占IC封装市场的95%，且可靠性不断提高，在3GHz以下的工程中大量使用 10.1 气密性封装的概念：是指完全能够防止污染物（液体和固体）的侵入和 腐蚀的封装。 气密性封装材料: 塑料，金属、陶瓷、玻璃。除了塑料，其余的都比较好 12.1 金线偏移：是封装过程最常发生的问题之一。会造成相邻的金线相互接触形成短路， 冲断金线形成断路。 再流焊：再流焊工艺对焊盘设计、元器件标准化、元器件端头、PCB质量、焊料质量、 工艺参数等的设定有严格的要求。 翘曲：翘曲机理：因为材料间彼此热膨胀系数差异及流动应力的影响所产生的应力变形。 翘曲往往是由于PCB的上下部分温度不平衡造成的。 空洞是指分布在焊点表面或内部的气孔、针孔。 一般气孔形成的原因； BGA焊点的空洞缺陷； 空洞的位置及形成原因； 空洞的接受标准。 12.2 再流焊中的5种缺陷： 13.1 WPL：晶圆级封装（Wafer Level Package,WLP）以BGA技术为基础，是一种改进和 提高的CSP,也称为圆片级—芯片尺寸封装 3 D封装：通常所说的多芯片组件都是指二维的（2D-MCM），所有的元器件都布置在一个 平面上，是单芯片封装在两维空间里的延伸； FC：ＦＣ是芯片有源区面对基板，直接通过芯片上呈阵列排列的凸点来实现芯片与衬底（或电路板）的互连。由于芯片以倒扣方式安装到衬底上，故称为“倒装芯片”（Flip-Chip） 。 13.2 CSP技术：芯片尺寸封装，简称CSP, (Chip Scale Package),是指封装外壳尺寸不超过裸芯片尺寸的1.2倍的一种先进的封装形式。 CSP特点：封装尺寸小，可满足高密封装；电性能优良；测试、筛选、老化容易； 散热性能优良；内无需填料；制造工艺、设备兼容性好。 13.3 倒装芯片有三种主要连接形式: 控制塌陷芯片连接Ｃ４(Controlled Collapse Chip Connection) 技术是一种超精细间距的BGA型式。 直接芯片连接ＤＣＡ(Direct chip attach) 粘结剂连接的倒装芯片ＦＣＡＡ(Flip Chip Adhesive Attachement)。 FC芯片的凸点结构： 补充：1.印制电路板的导体材料：铜 2.软式电路板的特性：具有许多硬式印刷电路板不具备的优点。例如它可以自由弯曲、卷绕、折叠，可依照空间布局要求任意安排，并在三维空间任意移动和伸缩，从而达到元器件装配和导线连接的一体化。利用FPB可大大缩小电子产品的体积，适用电子产品向高密度、小型化、高可靠方向发展的需要 芯片封装分类：按封装中组合集成电路芯片数目：单芯片封装，多芯片封装；按封装的材料：陶瓷封装，高分子材料封装；按器件与电路板互联方式：引脚插入型，表面贴装型 热超声波键合：热超声波键合为热压键合与超声波键合的混合技术。热超声波键合必须先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行金属线与金属接垫间的键合。 导电胶的概念：填充银的高分子材料聚合物，是具有良好导热导电性能的环氧树脂。 气密性封装的必要性：水汽是引起IC芯片损坏最主要因素，由于IC芯片中导线的间距极小，在导体间很容易建立起一个强大的电场，如果有水汽入侵，在不同金属之间将因电解反应引发金属腐蚀；在相同金属之间则产生电解反应，使阳极的导体逐渐溶解，阴极处的导体则产生镀着或所谓的树枝状成长。