HL-1M装置电子密度分布.pdfVIP

1]l,-Ibl装置电子密度分布 周艳邓中朝 王恩耀付荟文刘泽田 (核工业西南物理研究院，四JIl成都．610041) 摘要：本项工作利用多道HCN激光干涉仪测量的电子密度积分数据和密度反演计算结果， 讨论HL—l弼装置在冰弹丸注人、超声分子柬注入、低杂渡电流驱动等各种放电情况下的密 度分商及与约束的关系。用粒子违量方程计算了蜂化前后粒子扩散系数的变化，得到了粒 子的辅运由于密度分布的改变而发生了变化的结果；在LHCD实验中发现LH唧的注入使电 子密度的分布趋于平他，LHW改善约束的机制与边缘等离子体的状态有关． 电子密度分布与等离子体的约柬行为患息相关。ASDEx早期的喷气实验发现，在欧姆加 热情况下，密度分布的形状变化非常一致，且分布形状只取决于安全因子q和氢同位数的 种类(氢，氘)，而与线平均密度和辅助加料关系不粮明显。随着冰弹丸注入技术的发展． 实现了等离子体芯部区域的加料．人们获得了峰化的电子密度分布。而在欧姆喷气放电中 发现的能量约柬时间随线平均密度的增加将出现饱和的区域(这个区域称为饱和欧姆约束 医SOC)在弹丸加料一F该饱和区得到了扩展。ASDEX、JET等装置都在辅助加热或中性豪注 入等条件下得到了弹丸注入的能量约束的改善，人们将这种约束的改善归功于密度的峰化 获得了约束比L模式改善3倍的超级放电和ASDEX获得的反向中性束注入改善约束，这几 种改善约束的途径也都与获得了峰他的密度分布有关。 对于以上所谈到的几种获得蜂化密度的放电途径．在密度分布峰化时具有共同的特 性：即在同样的线平均密度无和加热功率的情况下．相对于标准欧姆招热或L状态放电的 值，总体能量约京时问、粒子约束时间和青反向注入时的动置约束时何得到了改誊．鞠运 分析表明，在平均等离子体密度较低的欧姆放电中，能量主要是通过电子通道损失，当分 布较平的等离子体密度达到中等密度值时，f，达到饱和，这时能量主要通过离子通道损 失，且等离子体中会出现离子温度梯度驱动的微湍流(玎，模)使能量约束变差。通过弹丸 注入等手段形成了峰化的等离子体密度分布，减少了通过离子通道的反常粒子损失和离子 的热扩散系数，从而抑制了印，模，使能量约束得到改善。 在讨论川。一lM装置在各种放电情况下柏罾度分布及与约疲的关系之前．先定义一下描 述密度峰化的参量：峰化因子Q=盟．其中n，(0)为牛心电子密度．11c为体平 H． 均电子密度。 1．n一1M冰弹丸注入时的密度分布 冰弹丸送料是一种提高加料效率，获得罾度Ⅱ垄化的重要手段。它必须满足足够的弹丸 体积和一定的喷射速度。在HL—lM装置的弹丸注入实验∞，一般弹丸的大小为 }体电流运行于I．在10n一200kA，弹丸魄穿透淡艘一般都到达了等离子体芯部。专起始 竣平均电于密度为15×10”研一j时，注人弹丸能馒缝量约束时问平均增长30％，在向低 2一O 密度(O 3)x10”『『?一3初始靶等离子体汪入甄弹丸日f，电子密度连续跳升到 25×10押m一．等离子体能量约柬增加了近3倍．弹丸注入后密度分布变得峰化，其峰化 因子可达16～l8并持续30ms左右，而通常一般喷气F的密度峰化因子往13左右。密 度的峰化分布形戚过程滞后于弹丸投入刚烈约i0～40ms．而后基率结持在一十新的峰化 分布状态。此时中心区等离子体辐射增强，注入期间电子温度T。下降．而电子温度的分布 T，(r，t)则基本上没有改受， 弹丸注入引起中心密度的峰化不能用弹凡注入导致粒子在中心的沉积来进行解释，因 为有时弹丸只注入到等离子体l／2半径处，但密度仍在中心升高，且弹丸注入后峰化能够 持续几十毫秒，这表明弹丸注入期间粒子的输运发生了改受。 如果将粒子的通量表示成如F形式“1， F—DVn?+n?VP 这里·向内漂移速度V。是利用满足Oncager关系的粒子能量输运的非对角线模型得出 的，D是粒子的扩散系数，vn。：皇∑。在放电稳恋的情况下，‘：0。我们可以得到： V。…孚 这个近似只能在等离子体中心区域使用，网为在该既国外，由于边缘密度，温度分布 及器晕fFNj-不能认为等离7二体避无沸的：{袤皿域对札一i是，≤2275cm。 图l是5460次放电弹丸注入前(和弹丸注入后(都是稳态条件下)，Vn。，。随半径 2