表面有效态密度及在MOS结构建模中的应用.pdfVIP

表面有效态密度及其在MOS结构建模中的应用 马玉涛 刘理天 李志坚 清华大学微电：于学研究所 北京 100084 摘要：本文从载流子在MOS结构反¨9层内的分布特性出发，提出了表面有效态密度 Effective (SLEDOS：SurfaceLayer 了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模璎。该模型引入，一种高教的迭代方法，具 有较高的计算被率和很强的稳定性。征模，钽基础上，研究了挝f化效戍对反型层载流子浓度 SLEDOS的概念建立了一个开启电乐鞋子化效施的修正模型。 和表面电势的影响。进而利_L}j 1。引言 随着MOSFET向深孵微米发展，按比例缩小规律要求栅氧厚度不断减小而衬底掺杂浓度 不断增加， 导致MOS结构表面电场越米越强．表面反型层载流子能级发生量子化，形成2- D电子气【IⅡ21。量子化效应剥MOSFET反删层载流f浓度雨l开启电压等特性产生显著影响 131[41。在器什模型中包含进鼙子化效应的影响显得日箍重要。 本文利用表面有效态密度(SLEDOS)的概念，建立_r包含载流子分布对表面势影响的电荷 控制模型。该模型同时适fL}jr经典理论和革子力学理论。该模型引入了一种高技的迭代方法， 具有较高的计算效率和很强的稳定性，町以快速的计算出经典理论和肇子力学理论r弱反掣 区和强反型防的载流子面密度和表而也羿。l司此不仅，U以研究昔，化效廊对载流子浓度的影 响，而且可以计算出是否包含苗f化效应两种情况F表面电势的著异。而后者对丁超薄栅氧 SLEDOS建立j一个开启电压的 化层的隧穿电流和可靠性有着重要的影响【5]。本文最厉利,qJ 茸子化效应修正模19。该模型给出了与实验吻合的结粜 2．表面有效态密度(SLEDOS)及电荷控制模型： 住半经典理论r，反艰层山载流子面密度为： ”船陋d警妒exp(一笺笋卜㈣ 其中N，为导带底有效态密度，E，为费米能级，氟利≯0)为表面势平¨距离表面z处的 电势。 定义表面有效态密度N。；： 418 ‰，=n·e《一钟 则： 弘Ⅳ一“—(警] ㈣ 善一镕℃Dz Ⅳ。，与N。的关系由图1给出。可以看出， 表面载流子面密度人于101 3cm一2后|vm趋向r Msfm0 与村底掺杂浓度无关，而且Ⅳ。，与N。在对数坐 图l。表面有效态密度(经典理论)与 标F成线性关系。利刚Ⅳm，的特性和[6】中给山 反型层载流子浓度的关系 的方法．可以用简单的解析函数米近似Nm： Ⅳ。，=，一√I厂2一Jv。(Ⅳ。。)·N。。(．Ⅳ。) (4) f=o．5·(Ⅳ。。(JⅣ。。)+(1+占)Ⅳ。(Ⅳ。)) 考虑表面电势影响的反璎层载流子浓度年ll栅电乐的关系表示为： N t∞ x=C。。1ym。一母；){q—N*m 精确求解反型层载流子浓度币¨表面势需要对(4)式和(7)式迭代求解。迭代求解的过程中， 收敛速度和稳定性是非常重要的两个冈素。经过对比试验，我们发现如F的方案可以得到根 高的迭代效率同时保持较好的稳定性。迭代过群描述如一F：首先给定Ⅳ。的初值，利用(4)式 得到．v。．然后利用(3)式得到妒、·再用(5)式得到眠，然后进行F一轮迭代。该方案的特 点在于利用(3)式从Ⅳ，得到庐。a网为．Ⅳ。是丸的指数函数，所以由N。得到庐，的过程是一个