不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响.pdfVIP

不同温度下量子化效应对MOS结构反 型层载流子浓度的影响 马玉涛刘理天李志坚 清华大学微电子学研究所北京100084 ，产● 摘要：低温MOS器件冈为其问有的高迁移率和优越的qF闽区特性而受到人们的重 视。鼙子化效席对MOSFET反刑层载流子浓度希f开启电乐等特性会产二尘显著影响。本文首次 对不同温度F鼍子化效应对MOS结构反础层载流’，二浓度的影响干f了系统研究。在较宽的温度 分布和量f理论分布两种情况r反啦层载流子浓度与栅电压的火系。计算结果表明：随着温 度的骅低， 茧子化效，tt对载流f浓度的影响将会明显增人。在计筇中发现：在：包含进揖子化 效应后，MOS器仆依然能够保持低温时的优良的弧剧K特性。鞍弱的反型限域内，域f化 做应对载流，浓度的影响更人。 I． 引言： 随着MOSFET向深弧微米发展，按比例缩小规律要求栅氧厚度不断减小而衬底掺杂 浓度不断增加， 导致MOS结构表而fU场越来越强，表阿反型层载流子能级发生鼙子化，形 成2一D电f气【1]f2】。彗、r化效庸对MOSFET反删层载流子浓度干¨开启电乐等特-眭产生显并 影响【3]f41。对姑子化效麻对J‘器件特性的影响进行系统而全面的研究非常必要f5．71。低温 MOS器件冈为其J州有的高迁移率和优越的弧闽区特性而受到人们的重视18一101。早期的鼙子 化效应研究就是从低濡极限COK))1始的f11】，然而就{f者所知，对r量子化教应对现代MOS 器件特性的影响与祜矗度的关系却没有进行过系统研究。在室温F域_f化效应对器件性能都能 产生明显的影响， 可以预测住低温条仆r，鞋子化效应将对器什性能产生更人的影响。 本文利心【12，13】中提出的方法研究了姑子化敛麻对反型层载流f浓度的影响同温度 的戈系。计锋结果表明：低温条竹t-，封子化放席对载流子浓度的影响更加严重。本文的j． 作对低温MOSFET的设计羊¨府刚具有一定的指导意义。 2。模型中与温度有关的物理效应 影响载流子浓度的主要田紊是禁带宽度乖f本祉载流子浓度及导带底有效态密度随温 度的变化。本文中禁带宽度的变化采刚了线性模刑： 426 Eg(r)Ego+p(r一300) 3x10 12eV为室温卜的禁带宽度。 其中卢一2 4(ev／k)为温蝌，Ego=l 导带底有效态密度表示为： 一(警)％ (2) 本征载流子浓度为： 一，=(Ⅳc-Ⅳv)M‘e面3驴(讹删M≯嬲：2f螂吖。’刿 (3) 2|警二卜2“7 (2)(3)式中m。，平¨m。分别为导带底和价带顶载流子态密度有效质姑。 在计算中，栅氧厚度统～取为5nm，平带电压取为OV。 3。计算结果及讨论： 论分布和量子理论分布F的载流千浓度oo栅电压的关系曲线。可以看出：随着温度的降低，由 于量子化效应的影响，载流子浓度相对丁经典分布的降低蛙增加了。由图中还可以明显看出： 低温条件。F， 当栅电乐低于开启电压时，随着栅电ji的降低，载流子浓度迅速降低。这对 应f低温-卜的优良I}勺砸蚓Ⅸ特性。由计算结果还可以得出：餐子化效应虽然降低载流子浓度， 但并不影响Ⅱ蚓区特性。冈此， 住低温器什庶州中， 其优良的砸蒯区特性将不会由于量子 化效应而变差。 为了进一步定量的衡量温度对罐子化效应的影响，对应丁j种衬底掺杂浓度 相对差值： DeltaNinv=(N