簿片状半导瓷可电离缺陷的扩散系数和样品电导率的关系.pdfVIP

从图中可以看到，薄膜的重复性较好。在四次重复后，输出信号未见明显衰减。 实验还测试了薄膜在N2下的电阻～温度特性。如图4所示，掺铂薄膜从200-800。C 32元件的电导激活能 根据点缺陷模型和质量作用定律，材料的导电率与氧分压的关系符合： (1) G=Aoexp(一AE／kT)P：2／“ 其中A。为一常数，AE为材料的电导激活能，m为一与材料有关的系数 AE，掺铂薄膜的电导激活能通过计算约为0．009eV，可以看到材料中载流子的激活能很 小。因此，薄膜元件具有很好的电阻一温度特性 33 Pt在薄膜元件中作用机理探讨 Pt在薄膜中的掺入是通过在氯铂酸．甲醛溶液中浸泡而得的，因此可以认为铂基本均 更高一些(由于施主能级影响)，更靠近导带底位置，即TiOz．。材料的功函数比Ti02更小 一些。由金属～半导体接触理论，铂微粒与Ti02一。材料晶粒之间形成肖特基势垒，势垒高 陷阱浓度Nl有关。在不考虑由于气体吸附而引起的晶格氧浓度的变化时，即界面处的施 主浓度Nd不变的情况下，势垒高度：【1” (2) emMs-(eNt)2，(2e。Nd) 其中： Nt=[Oi】+【O_】+[01：￡。是材料的介电常数： N。是接触界面处的氧空位浓度。 当薄膜处于氧气氛中时，Pt吸附氧： 2Pt+02--*2Pt：O(3) Pl表面氧的吸附使N。增大，Pt与Ti02．。薄膜晶粒之间的势垒升高，材料电导率下降。氧 吸附浓度越高，Pt的费米能级降低量越大，界面势垒就越高，材料电导率越低。 在H2条件下，发生如下反应： (4) PtO+H2_Pl+H20(g) 2Pt+H2--}2Pt：H(5) 由于氧吸附被氢吸附所取代，NI减小，使Pt与TiO：。。薄膜晶粒之间的势垒降低，材料的 电导率升高。 根据这个模型，Pt在Ti02．。薄膜中与晶粒之间存在着电子交换，起着对气体吸附的催 化作用。由于氧在Pt表面解席吸附调节活化能低，速度快，吸附浓度高，因此，掺Pt薄 膜表现出比掺杂前【8】好的氧敏感性和响应性。 657 4．结论 Pt在薄膜表面可以形成肖特基势垒，势垒高度随着气氛的改变而发生变化，从而使薄 膜的电阻发生改变，使薄膜表现出氧敏感性能。掺铂薄膜元件具有较好的氧敏感性和重复 性，在N2下具有很好的电阻一温度特性。 参考文献 【1】 邹志刚，仪表材料，1987，18(2)：91-96 Sensors 【2】H．Kondo，H．Talahashict．a1．，Proc．3rd 90 1 983(6)：185—1 andYi and [3】N．Yamazoeshimlzu，SensorsActuators，1986(IO)：379-398 Yasuhtro Fakuda and 3～ 【4】 Shimlzu，Kazushiet．a1．，SeI、$ors 1 4)：623-624 3 【5】 彭军等，传感器技术，1992．5(4) andActuators [6】L．E．Deperoct．a1．，Sensors B，1996(31)：19-24 【7】^．D．Colrin andActuacors et．a1．，Sensors B，l993(12)：83-90 【8】 郑嘹赢，天津大学硕士论文，1997 984 [9】 E．H．罗德里克