Ka波段PHEMT功率器件.pdfVIP

一j3 Ka波段PHEMT功率器件 张慕义 张玉清 f；息产业部电子第十三研究所 再家疵 115005l 6whmn。 件在3I8GHzU下输出功率，250mw，其功率密度达到O l弓I言 导弹制导、通讯雷达及电予对抗要求从微波器件中获得高输出功率、高敬毕、低噪声 和较大的增益，异质结器件的发展适应了这些要求，异质结器件中的PHEMT器件更具有 工作频率商．功率噪声和增益性能更优良的特点，自问世以来在微波毫米波领域中具有主 导的地位。随着分子寐外延材桐及电子柬扫描刻栅等技术的发展使器件的功率橙度达到 0．6～(19、、／nun，沟道电流达到450～600mA／uun，已报导的器件水平是证30GHZ1、输出功 J．8GHz输出功率 率1w。本文介绍r一个栅宽400umPHEMT的设计制作及性能在3 250row，其功率密度达到o．6w／ram。 2器件设计； 2l材料结构设计 f}j于肄质结器件的．1：作是鐾于异质结界面上的2DEG的电荷进行的，敞材料参数必须 优化，该器件的利料结构为双6掺杂的PHEMT材料，其结构蜘l图l所示，在这个结构中 对隔离层的厚度做了折衷考虑，虽然隔离层薄了可增大二级电子气浓度，但降低了迁移率 隔离层厚了可增大迁移率．但又减少二级电予气的浓度。 A㈦4置 }Pb时—＼^帕·～I“sulatol ●sO^ hGi^‘ch．m■ sIP“n— G●^以IG●^l S唧t‘L●n●c● 圈l 22器仆±融；』波LI： lj 器f，l=绝构选{t为iI《{野接通孔接地结构总栅宽400urn，单指栅宽3311|，l2指源漏{H|距3 2—0 Iam、棚}长O 3um。 243— 3器件制作： 3l工艺流程： 材料检测-+台面隔离一N+腐蚀一—’T形栅制作。源漏欧姆接触制备—· 钝化—-电镀加厚—+减薄—+通孔分片—+装架—+测试 3．2小于【13unlT形栅制作 小于0．3¨nl T形栅制作琏制作ka波段PHEMT的关键技术，我们采用移相掩膜应用技 术制作出小于o2u m的T形栅，制作细条的移相掩摸的原理如图2所示，移相掩膜是利用 通过～。透明区的光波与通过相邻透明区但具有180。相位差的光波之间的干涉作用使相邻 口透明区边界处的光强减弱，从而使图形边沿对比度得到提高，在移相掩膜应用中采用了 PEL技术和IMRE技术。 ||!： M 一、～ 季睦．1 图2 图3为小于O．2rrml，T形栅扫描电镜照片。 图3 4性能测试： 测试系统为WR28波导系统，测试夹具采用的是金属接地载体石英介质基片制成50H o传输线．采用WP,39波导转微带的脊波导适配器完成了微带与WK28波导系统的连接。 一244一 图4为测试试验方框图。 一匝酽困一 圈—圆