采用CoSi-%2c2-SALICIDE结构CMOS%5cSOI器件辐照特性的实验的研究.pdfVIP

采用CoSi2 器件辐照特性的实验研究 张兴 黄如 王阳元 北京大学微电子学研究所，北京 100971 cn edu e-mail：zhmlgx@imepku 摘要：本丈主要讨论了CoSi2 射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明， CoSi2 连电阻，而且对sOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。与多晶硅栅器件相比， 采用CoSi2SALlCDE结构的器件经过辐熙以后，器件的阁值电压特性、亚阈值斜率、 抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一。 1 引言 众所周知，SOI器件具有许多独特的优势，由于它真正实现了介质隔离，而且 源漏结面积很小，因此sOI器件完全消除了体硅CMOs器件中的寄生闩锁效应，具 有很好的抗瞬时辐照和抗单离子翻转特性。除此之外，S01器件还具有寄生电容小、 速度高、可靠性好、工艺简单、集成密度高、特别适合于短沟道和低压低功耗电路 等特点”J。正因为如此，S01器件在军事、航空航天等要求高可靠、强抗辐照的领 域得到了广泛应用[21131o为了研究SOI器件的抗辐照机理，人们进行了大量工作， 但到目前为止，大多数有关这方面的_Y-作都集中在研究栅氧化层、埋氧化层、SOI 器件的寄生背沟及边缘效应等对器件辐照特性的影-向【4J【”，很少有人研究硅化物对器 件辐照特性的影响。为了降低源漏寄生串联电阻，硅化物是现代CMOS工艺中不可 缺少的技术，在大多数工艺中，硅化物SALlCIDE技水已经成了CMOS标准工艺H。 因此研究硅化物对小尺寸sOI器件辐照特性的影响不论是对目前实际应用，还是今 后开发抗辐照加固2T-艺技术，制造抗辐照性能优良的SOI电路都具有重要的意义。 点，CoSi2SALlCIDE是深亚微米CMOS工艺中最佳的硅化物结构之一I，J。因此， 本文主要研究CoSi2SALICDE鲒构对SOl器件抗辐照性能的影响。 利用我们开发的抗辐照加固l sAuCDE结构和采用普通多晶硅栅SOIMOS晶体管、反相器、环形振荡器、基本 逻辑单元等器件。然后对这些器件进行辐照实验，比较辐照前后采用硅化物和多晶 硅栅结构器件的特性。通过比较两者的阈值电压、亚阀值斜率、泄漏电流以及环振 的门延迟时间发现，采用CoSi2SALICIDE结构对sOI器件的辐照特·胜有明显改进。 2器件制造及辐照实验 利用我们开发的全耗尽CMOS／SOI工艺制备了采用CoSi2和盯多晶硅栅的沟遣 MOSFET和cMOS／SIMOX25级环形振荡器。 长度为1．09m的薄膜全耗尽sⅡⅥOx H2-02合成氧化技术制备，氧化时的温度为8500C，之后再在900。CN2气氛中退火 30分钟。在该条件下得到的栅氧化层的抗辐照特性较好，且具有较低的界面态密度， 通常小于3O×Io…cm。。多晶硅层栅的厚度为400nm。CoSi2SAuCIDE结构采用两 步退火形成，为了防止形成CoSi2时把有限的表面硅层全部消耗掉，必须严格控制 552 秒，形成CoSi，利用I-IF腐蚀掉氧化硅侧墙上没有发生化学反应的Co膜，然后再 在780℃时退火20秒，形成化学性质稳定的低电阻率的CoSi2。利用该方法得到的 SALICIDE结构如图l所示。该工艺采用的是全离子注入工艺，整个工艺过程中共 包括五次离子注入：即n管调阁值注入、P管调阈值注入、多晶硅栅注入、i0管源 漏注入和n管源漏注入。其中n和P管调阈值注入的条件分别为：n管：注B+， 图1 SOI器件的SALICIDE结构 全耗尽CMOS／SOl工艺中，最高的长时间高温过程为栅氧化后的退火过程，即900 ℃30分钟。在后面的工序中除了低氧层致密和离子注入杂质激活采用的是1050℃ 20秒的快速热处理之外，其它长时间高温过程的温度均低于900℃，这样可以抑制 栅氧化层中产