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采用神经MOS晶体管实现的具有大输 入动态范围的低压四象限模拟乘法器 管慧 汤玉生 (上海交通大学微电子技术研究所，上海，200030) 摘要：神经MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文咀笔者开 发的神经MOS晶体管的PSPICE宏模型为模拟和验证的工具，讨论了采用这种器件实现低 压四象限模拟乘法器的设计思想。基于这种设计思想，设计了一种大输入范围的低压(±3V) 四象限模拟乘法器电路，给出的模拟结果验证了理论分析。 1．引言 四象限模拟乘法器是模拟Ic中的基本单元，广泛用于人工神经网络、自适应滤波、 调制与解调、频率变换、盲信号分离及其它信号处理电路中。近年来，一些适于低压工作 的CMOS四象限模拟乘法器已经开发出来，这些乘法器均采用了MOS管的线性区特性或 饱和区特性以及可变跨导或偏置反馈技术，利用四分之一平方率关系或其他代数关系来实 现乘法器功能。然而，无论采用那种结构实现的乘法器，其线性输入信号的范围一般只能 达到电源电压的30％．-60％。最近，一种结构新颖的四象限模拟乘法器被研制出来【l】，它仅 由四个N型神经MOS晶体管、一个电流源和一个电流镜组成，具有100％电源电压(±5V) 的动态输入范围和O．2％的非线性误差。 神经MOS晶体管(Ned-on 型器件结构锄。由于这种新器件的加工工艺完全与标准的双层多晶CMOS工艺兼容，加上 其具有多输入栅加权信号控制(类似于人工神经元模型，故得名“神经MOS晶体管”)和阑 值可调变(耗尽模式到增强模式)等特性，因此在应用方面越来越受到广泛的重视，至今为 止，已先后开发出了多种基于这种新器件结构的数字和模拟电路。 本文首先简要介绍了NeuMOS晶体管的基本特性和笔者开发的宏模型，讨论了采用这 种器件实现低压四象限模拟乘法器的设计思想，最后基于这种设计思想，给出了一种大输 入范围的低压四象限模拟乘法器电路的设计实例及其模拟结果。 2．NeuMOS晶体管及其宏模型 NeuMOS晶体管的基本结构如图l所示，它实际上是一个具有多输入栅韵浮栅MOS 器件。浮栅由第一层多晶硅形成，第二层多晶硅形成一组多输入的控制栅。浮栅上由加工 中引起的电荷可通过在测试前用紫外光辐照除去。如果忽略器件工作中注入浮栅的电荷． 则浮栅上的感应电压可表示为Ⅲ： yC，矿 y。．：芷+CrvVo十CrsVs十旦出+坠!整±!!!!… r’ L。’ CT CT CT Cr CT q=∑cf+％+％+％+％ (2) i=1 C．是浮栅和第i个输入橱之间的电容；V是第，个输入电压；V”Vs和VB分别是漏、源和衬 底电压；CFD和crs分别是浮栅和漏、源之间的覆盖电容：C，。是浮栅和衬底之间沿着沟道 边缘的覆盖电容(非有源区)；Co。是浮栅氧化层电容；岛袁；示衬底硅的本征费米势。所有 外接电压都相对于地。从(1)式可以看出：浮栅电压是多输入栅电压加权和的函数，其权值 645 调整是通过多输入栅与浮栅之问的电容耦合来实现的。 2 poly SourceDrain Gl叫 G2叫 G3铒一 Gn叫 (a) (b) (c) 璺!盘丝幽§量签复煎壁麴垂壁璺：题图垒筮量 基于等式(1)，利用PSPICE模拟器中的模拟行为建模功能，笔者开发了～个Neu