采用Pspice5.0设计模拟内匹配GaAs+MESFET功率放大器.pdfVIP

MESFET功率放大器 采用Pspice5．0设计模拟内匹配GaAs 顾聪 刘佑宝 (陕西骊山微电子研究所，陕强西安，710054)4 MESFET器件设计内匹配网络时，采 摘要：本文针对单胞2100l|lm栅宽微波功率GaAs 5，0软件中Curtice模型所需要的12个参数。采用一组偏置在 用优化算法提取Pspice t vgs，Vds)=(0，0)的s一参数，提取相关的本征和非本征参数的提取。对于模型中其他参 5GHz的一阶标准高通 数，采用了83组Dc测量数据进行提取。同时我们在输入端设计出4 ce5 0模拟实验，得出 滤波器，输出端为5．o__6．OGHz的一阶标准带通滤波器。经Pspi 的器件线性增益与实验数据相吻合。 1．引言 G甜sMESFE]’微波功率放大器有着广泛的用途，如通讯和导航等领域，而以微波GaAs ～IESFE‘r制作的电路具有体积小、重量轻、机械强度好、可靠性高、故障弱化能力强和扩展 功能好等优点，它的应用可以改善军用装置系统的性能．并为新一代军用系统的开发应用 展示广阔前景。微波Gaks MESFEl’器件及其电路的应用领域+目前在我国是大量地集中在 雷达、卫星通讯、电子战和灵巧武器系统等领域。 2．参数提取 在进行微波非线性电路的设计和分析时， 对非线性模型提出r较高的要求。目前尽管开发 了黑匣子和快速物理模型，但是在计算机辅助设 计(CAD)软件中．大多数可用模型仍然采用等效 0软件 电路类型的模型，如图I所示．是Pspice5 中使用的Curtice模型ll}．旧时也期学这些横犁 净未来占主导地位，这1E要是由于它们计算效宰 高．在商业软件中实用性好，以及易于将它们集 成存脱有的设计技术中。 在建立集中元件非线性模型中的关键步骤 足扶不同偏置点下的s．参数中提取小信号等效电 路，然后拟合成大信号非线性模型。这种办法需 例lGaAs 要作大量的数学统计工作，目前尚未有m出化的 MESFET的Curtice模型 成套软件可供使用，理论基础有待进一步完善， 为了能快速地检验我所研制的微波功率GaAsMESFET器件能否进入实用化阶段，我 们首先采用Pspice5 模型所需要的所有参数，Curtice模型中lds的表达式kilt： 1 (1) ds=默Vg：一VT。，)：(1+^K)tanh(clVa、) 式中p、、和a分别为模型参数，V。为夹断}b压，t为过渡时间(沟道延时)．这些参数 可以采用弓Dr测量值拟台的方式获取，即采用以j目标函数： 4 Lishan 311．Sh,tUlllXi GuCong．LinYoubao．(ShamlxiMicroelcclronics[nstitule，×l710054) 一6ll— FT——一一——I_ ∑，。，(H．∥i){ t 2 铲鬲1乞I,IJ7。(“F，i) ，一D 式中j(1．…．KJ是DC测量点总数．我们采用了-83组DC测量值．拟台的曲线如图2 所下．采用这种方法提取ⅢCtutice模型参数 B、、和a，其精度可达到1()6小11{l_ 0优化软件中衄 为了能够调用Pspice5 GaAs MESFET模型，还要提取有关零偏置点 (Vgs．Vds)=