采用回流加固结构的微波功率器件的电热应力特性.pdfVIP

采用回流加固结构的微波功率+ 器件的电热应力特性 孙英华李志国程尧海张万荣 (北京工业大学电子工程系100022) 摘要：奉文在回流效应和实验研究的是础卜，结合器件具体结构和制备工艺，优化设计了耐流加固结构，制 各，六种结构样管。建口r一套自动测试系统，进行了屯热加速应力试验．结果表刚：采用一个缝隙、缝隙 宽度为3¨m的结构同流加崮效果最好，抗热电徙动能力最强。 l引言 r)可靠性：是键问题之一，已成为国际可靠性研究热 电徙动失效作为微电子器件(vLS 点。随着微电子技术的向亚微米及深亚微米发展，VLSI及器件特征尺寸不断减小，金属化 布线日渐复杂和精细，可靠性和复杂性的矛盾更加突出，国际上已投入大量人力物力开展 金属化系统可靠性研究，提出了一些行之有效的方法和措施，如合金材料：Al—Si，A卜 想效聚。所谓的电徙动是指住高电流密度下，金餍离子在高能电子作弭j下发生迁移的现象， 它会导致质量的堆积或耗尽．从而引起开路或短路失效。但是在电迁徙过程中同时存在一 种回流效应：通常在强电流F电f风挟带金属离子流动在正极形成质量堆积，在负极区造 成质量耗尽，从而建寺起浓度梯度，会产生一反向于电迁徙方向的胝应力(化学坍)，这 个压应力将引起堆积的金属离子反 向扩散，可以抵消电迁徙离子流， 人们称此反向离f流为“回流”．： 正壤m{竺j二．_r”磐 懈 ”乒!唠二二一 “学生 可以想象理论上总有-。个时刻．止 —i鬲r_7——产＼_／—广j=i磊再——产L／丁 向离子流和同流将完全相互抵销， 三王趸雪涯兰豆墓；淫 使净离子流迁徙为零。皿然，吲流 “5 -“刚I “g 可以删采降低电辽雒失效，提高器 件金属化的可靠性。 我们在王早论研究的基硎址：进行 了回流效应动力学的实验研究 叵流室占构昔I面朗 圈1接触孔和引线孔的川流加硎示意剧 [3A,sl：分别设计了用SiO!覆盖效应 建立的同流结构、利j{JAI／Ti双层金属化结构建立网流效应和VLS[接触孔刚流加固结构， 研究表明同流加同结构明显提高了sj，AI界面的可靠性，减小了压应力，减缓Al，si的互扩 散。试验结果表明：同流加固结构样6^欧姆接触结构比酱通样品的电迁徙寿命高一个数量 级；同流加固结构的温度耐力比普通结构高出42℃。 回流可咀有效地消除横向和纵向电迁徙，但如何在实际之中应用还是难题。我们在此 方面做了些探索性l一作，将尉流结构麻用丁实际微波器件，进行了优化没计和测试。 ·北京市自然科学基金和北京rH科技新星计划资助 540 2回流加固结构优化设计 由于si微波功率器件具有浅结和高功率的特点，极易在发射区引线孔的A卜si界面处 出现Al离子的迁移和扩散，导致失效，因此增强微波器件引线孔和EB结处的可靠性是提 结深0．3岬，发射区金属化条宽为10呻，长106I．tm，共6个梳状条，每条之中均匀分布7 个引线孔，引线孔尺寸为8x2 75pm，基区金属化引线条长为105．51m，宽8岬。 根据器件具体结构进行回流加固结构设计主要考虑以下三方面的情况： 1)加固微波管可靠性中的薄弱环节一发射极根部的引线孔，根据PN结电流电压方程： J∞．，一P“7 其中Js=qB．n∞／L。+qD。n。／G，是与电子、空穴的扩散系数、平衡电子浓度及扩散长度相关的 量，在具体PN结中基本为常数。q为电子电荷，v为EB结的压降，k为玻尔兹曼常数，T 工作温度。发射级电流在发射区金属条上沿条长方向指数形式减小，表明发射极电流主要 集中在根部的引线孔处，意味此处失效的儿率最大。所以只需重点加固发射极根部的引线 孔，即可达到提高其可靠性的目的：而且尽量少地引入缝隙，减少了热效应和工艺隐患。 2)根据理论、试验和器件的特征尺寸确定合理而有效的回流长度。一定材料和结构的 金属化，在一定的电流密度和工作温度下，存在