氮化硅X射线掩摸研制.pdfVIP

氮化硅x射线掩摸研制 陈大鹏叶甜春赵玲利韩敬东谢常青李兵 o) (中国科学院微电子中心北京650信箱10001 摘要 x射线光刻掩模是由一片支撑薄膜和附着在薄膜上的X射线吸收体的图形组成．因此， 如何通过控制SiN；薄膜的生长条件和过程，降低SiN，薄膜中的应力获得大面积的薄膜材 料，就成了SiN。薄膜制备中的主要问题。本文报到了采用LPCVD方法在高温下制备富硅 SiN，薄膜的工艺过程，分析了寓硅型SiN。薄膜的微结构及其膜内应力之阃的相互影响，对 富硅型SiN，薄膜的LPCVD生长工艺进行优化，大大降低了膜的张应力，成膜面积可达 40x40mm2。 关键词：x射线光刻掩模，SiN。薄膜．LPCVD，薄膜应力 一；前言 X射线光刻能大规模应用的关键是掩模制造技术。可用于制造掩模支撑薄膜的材料主 要有氮化硼，多晶硅，有机膜。氮化硅，碳化硅，类金刚石膜等，在选用何种材料作为掩 模的支撑体材料时。需要综合考虑材料的抗辐射性，强度，对可见光的透过率及成膜应力 等“’。综合考虑各种薄膜材料的物理性能，可以发现SiN。的各项指标均较为理想．然而， siN。膜在制各过程中会产生非常又的张应力，且张应力随膜厚的增加增长很快，以至龟裂， 成膜率很低．极难得到大面积的薄膜。因此，如何通过控制SiN。薄膜的生长条件和过程， 降低SiN，薄膜中的应力获得人面积的薄膜材料，就成了SiN。薄膜制备中的主要问题。曾经 有过文献(2,3J报导说通过大剂量的离子注入补偿法，或多层复合结构补偿可以降低SiN。膜 中的应力，但效果有限。并增加了制各工艺的复杂性和制膜成本．限制了SiN，薄膜的应用。 本文报到了采用LPCVD方法在高温下制备SiN。薄膜的工艺过程，分析了富硅型SiN，薄膜 的微结构及其膜内应力之间的相互影响，对富硅型SiN。薄膜的LPCVD生长工艺进行优化， 大大降低了膜的张应力，成膜面积可达40x40mm2，是～种良好的掩模支撑材料。 =：试验方法 SiN。薄膜制各在石英管式炉内沉积得到。采用双面抛光的P型100硅片，表面平整 量流量计控制SillzCl：和NH，的流量比，通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得 到不同的siNx薄膜。 三：结果和讨论 1^SiN．薄膜生长条件与麻力的关系 在评价用于x．射线光刻掩模的SiN。膜的性能时，其中一个非常关键的问题是薄膜在 生长过程中所产生的内应力，在制做x射线光刻掩模时，需要将支撑SiN。膜的硅衬底背腐 蚀去除以留下SiN，膜，并在薄膜上淀积加工出所需的Au吸收体图形，在这一过程中，需 一 要siN，膜保持一定的张应力，但叉不能过大，张应力过大会导致膜的破裂，而压应力会使 薄膜皱缩，引起吸收体图形畸变”’。我f『J在实验中发现反应气体的流量比和温度不同对SiN。 膜的张应力及生K速率都有影响。在一定的温度区间和气体流量比例之内，随淀积温度和 Silt2c12流量比的增加，膜的生长速率加快，张应力也逐渐降低，超出此温度区闻或SiH。C1。 流量比例过大，张应力都可能转成压应力，具有压应力的SiN。背腐蚀成膜后，膜呈皱曲状 态。图l是在不周啻勺反应温度和气体流量比F，SiN。膜的生长速率及应力值。 _ p寻mdsI．嚣_|口 圈1．反应温度和气体流量比对SiN，膜的生长速率和应力的影响 图2是在不同条件下测得的SiN，膜的应力分布状况，从测试结果来看，在高温下获得 吨一： 的富硅型SiN，膜均为张应力，且分布范围较窄，各炉之间的重复性较好，同一炉中不