电子系统元器件指标分配实验的研究.pdfVIP

电子系统元器件指标分配实验的研究.pdf

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电子系统元器件指标分配实验研究 贾温海 (中国工程物理研究院电子工程研究所四川成都517信箱) 摘要本文采用实验的方法研究了电子系统内电子元器件棱辐射指标的分配.其研究 目的是为系统甩电子元器件的加固、考核和评估挺供更加台理的参考.研究是通过采用 晶体管辐射损伤监测器和s-32中子活化箔监铡二个典型电子系统组件盘内印刷电路板 上不同位置处的中子注量的分布来确定组件内电子元器件的核辐射分配指标.通过两次 中子反应堆辐照实验韧步确定了具有不同结幸哿形式的组件内电子元器件的指标分配系数 约为o.7~1. 关键词 核辐射电子系统元器件指标分配 I引言 该实验研究工作是根据抗辐射预先研究专题“电子系统与元器件加固指标分配研 究”的研究内容开展工作的. 其研究目的是为系统用元器件的加固、考核和评佶提供更加合理的参考。 对于电子系统的核辐射指标分配在前几年我们已经作了理论和试验验证研究,已 初步建立了一套比较行之有效的方法,并得到实际的应用。它主要是建立了对电子系统 组件级核辐射指标的分配方法.但是,对于处于组件内部的电子元器件的核辐射指标 值是多少,还是不能给出明确的回答。为此需要研究组件内部电子元器件的指标分配 方法并能给出分配系数。 如何进行研究昵?因为电子系统各个组件的结构形式和材料各异,采用理论计算 的方法繁琐且工作囊较大,也很难做到精确。若考虑到电子系统的具体结构形式和指 标分配的实际要求,用实验方法来研究元器件指标分配是一种较实际和可行的方法。 在300#反应堆水平孔道中完成了实验,获得了相应的实验数据,通过处理和分析, 得到了初步的电子系统组件内元器件核辐射指标分配的系数,为电子系统抗辐射能力 的考核和评提供过了初步的参考数据。 贾温海:电子系统元器件指标分配实验研究 2原理和实验布局 2.1原理 2.1.1指标分配和理论估算 何谓摆标分配昵?即就是把结构项目,如,电子系统,在规定的自由场板辐射环境中受 到的辐射应力分配给构成结构项目的各个硬件单元(如,组件)和组装层次而采取的活 动和结果。奉研究工作就是把施加在系统组件上的核辐射指标分配给最低的组装层次 元器件上。 假定作用予组件上的核辐射主要是中子辐射,并以中子注量屯表示,那么作用于 组件内元器件上的中子注量屯可以用下式表示: 以2KX九·?-·-_--(1) 式中K为元器件辐射指标分配系数. 对于确定的电子系统组件的元器件分配系数K,可以采用理论计算法和实验测定 法来确定. 严格来说,如果要从理论上精确计算出组件内电子元器件爱辐照的中子注量和其 它类型的辐射量值,则必须建立计算模型并采用M.C等方法计算.但是由于系统内各 个组件结构形状各冥,所用材料不近相同,因此要建立台理的计算模型较豳难,更重要的 是计算的工作量也大且结果难于精确.为此,在这里仅采用经典的理论计算方法对裂变 中子能谱中予穿透典型组件盒的穿透率进行了计算,当采用2ram厚的AL·12材料时, 其穿透率为0.95,关于具体方法在中予输运理论中有详细介绍,这里不再赘述。计算中 忽略了组件内结构材料和元器件散射的影响。为此,本研究工作主要采用实验方法来确 定元器件指标分配系数. 2.1.2实验原理 在申子辐射模拟源上采用活化箔以及晶体管辐射损伤监测器实际测量二种典型组 件结构内部器件处的受熙中子注譬分布。 2.2实验方法和布局 内中部安装有印刷电路板板上焊装了部分电子元器件.组件盒由厚度为2rnm 的AI,12加工装配雨成。 试验是在我院二所CFBR-II脉冲堆上进行。为了监测盒内电路板上元器件的受照 中子注量和注量的分布。并和盒外距脉冲堆球体相同距离处的受照元器件的中予注量 以及损伤程度作比较,采用了我们自己研究建立的晶体管辐射损伤监测器及由物理与 化学研究所的中子活化箔来监测相对中子注量和器件损伤。其受照组件盒结构示意图 见图I。实验时,组件盒中心安装在CFBR.1l脉冲堆表面,印刷电路扳中心距堆表面约 为了监测盒内印刷电路板上不同位置处受照的相对中子注量分布,还在不同位置安装 263

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