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几种集成电路和专用电路辐照效应 关颖 韩福斌林东生肖志刚 叶锡生 (西北核技术研究所，西安69信箱16分箱710024) 摘要本文舟绍了DP卜之OD脉冲X射线源产生的强脉冲软X射线对几种集成电路和 专用电路进行的辐照效应实验． 关键宇：集成电路脉冲X射线光电效应剂量串 1、引言： 随着核技术和空间技术的发展，应用在核辐射环境中的电子元器件特别是半 导体和微电子器件越来越多，因此研究电子元器件及其组成的电子线路的脉冲X 射线效应具有重要意义。我们利用DPF--200脉冲x射线源产生的脉冲软x射线， 对部分=极管、三极管及其构成的部分电路做了辐照效应实验，得到满意的结果， 并探索出7相应的实验方法。在此基础上，叉对几种集成电路和专用电路进行了 辐照效应实验。目的在于研究在脉冲软x射线环境中的上述集成电路可能的响应 及开关电路运行状态。 2、X射线源及参数监测 实验所用x射线源为DPF一200脉冲x射线源，其发射x射线脉冲宽度在 ● 七十以上；单次脉冲x射线总能量在50J,左右(按点源发射，4Ⅱ立体角均匀分布 计算)．数据处理采用的能谱如表一所示： 表一DPF--200能谱 3-6 6-8 8-18 18-2515-6060 l能量段(keY) l所占份额(％) 12．2 20．4 17 19．6 28．7 2“、 实验时对x射线时间分布和总能量进行实时监测。x射线总能量采用PT一1型热 电堆量热计监测，窗口采用50lJIll的镀膜，能量计距离焦点27cm。x射线时间分布 采用自制的二极管探测器测量，窗口采用120pm的Al膜，探测器探测器距离焦点 28cm。被测试电路的位置_q-极管探测器的位置基本一致，窗口材料也是选用120 IOO 关颖韩福斌林末生等：几种集成电路和专用电路辐照效应 um的Al膜． 表二、出镀窟时DPF-200窗口处总剂量 能段(key) 3_6 6—8 8一18 18_2525-6060 290 i00 11 4．65 1．22 O．31 p(cm2／g) D(103rad)20． 8 12．O 1．10 0．535 0．205 0．004 u 表三、通过120m的Al膜后x射线剂量 能段(key) 3-6 6—8 8一18 18-2525-6060 235 63。5 8．80 3．70O．97 0．277 H(cm2／g) O．06 389 684 438 194 3．9 D(10=tad) 3、器件及测试电路： T1：该器件是由六个CMOS反相器电路组成。此器件电源工作范围宽：3一15V，低 功耗，抗干扰性能强。主要用作通用反相器，即用于不需要中功率TTL驱动和逻 辑电平转换的电路中。 在实验中我们针对器件的反相特性，对其中的三个反相器的输入端加低电 平，而另外三个反相器的输入端加高电平，给％。端加30V正电源，‰接地。对 输出端进行检测．结果用644示波器记录．由于输出阻抗比较高因此我们用644示 波器的高阻档与之匹配。 T2：是CMOSI艺制作的程控型四运算放大器，该器件可单电源工作，亦可双电 源工作．工作电压可低到±1．5v，输入电压范围宽，输出电压可与CMOS和1vrL 匹配． 由于是程控型四运算放大器，因此我们在实验电路设计中，使两个程控偏置 端相连，并根据器件需要加上了偏置．把全部运算放大器选通。将其中的一个运 算放大器设置成电压跟随器：而另外一个运算放大器设置成反相比例器。给Tz的 矿端加30V正电源。矿一接地．实验电路如图一所示．分别对两个输出端进行检 测。结果用644示波器记录。