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1999正 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 391
使用频率为500kHz～lMHz的MDZn铁氧体
胡云松
西南应用磁学研究所 四川绵阳621000
摘要
具有截止频率高，晶艘细小而均匀，使用频率高，功率损耗低等优点，对提哥器件的功翠．降低器件的
体积．有效的满足了模块式开关电源的需要。
一引言
随着电子设备向小型化，轻型化，簿型化方向发展，对开关电源的体积和重量有丁越来越严格的限
制，以及MOSFET等性能的改善，使开关电源的开关频率不断提高．已从过去的十数千赫提高到目静
材料也相应进行了太的改进和发展，现已开发出的产品，可满足开关频翠为lMHz频率以下的开关电
源豹需求。
本文对用于500k1．-Iz-1MHz频率下的MrLzn铁氧体进行了初步的探讨。
二．实验
制备生胚样品，真空炉进行最终的烧结。起始磁导率用AV2781测试议测量，功耗角倍乘电孟法(采用
×5mm。
三．结果与讨论
材料性能l：
磁导率4i 1．400±25％
饱和磁感应强度Bs ≥470mT
剩余磁感应强度Br ≤190aT
矫顽力He ≤30A／M
居里温度Tc ≥240℃
功耗Pm(500kHz50roT)(mw／g)
I 25。C 60℃ 100℃
f 32 23 25
对于功率铁氧体来说，功耗是衡量：t-A料好坏的主要指标。在强场下的材料的功耗主要由涡流损
耗及磁滞损耗两部分组成：PL=Pe+P。…
对于涡流损耗Pe。由公式：
Pe=Ke-f2·日：。·R2／p
随之增加。为了降低涡流损耗，通常是增大电阻率，采用加入Ca、si等，配舍工艺调整，使杂质处
于晶界边界处，形成高电阻层，从而降低涡流损耗。园为si的加入，可阻止晶粒生长，细化晶粒。
ca“的半径为I06埃，这_对于失晶石结构显得较大，只能有限地圊溶在失晶石晶格中，电子探针表
明，Caa+将富集于晶界。生成非晶厦的中间相。从币i可以增加晶界电强率，降低损耗，…昕以．ca
l州％r 3wt％。
的含量座大大高于sl的含量。经实验得鲫8102嗣吉茎小于0CaCO，的占量虚天十u
对于磁滞损耗P。，由公式
。
j：： 全堡釜圭墨 !：：：±
Vh=Kb-一·瑗5
可知随着f频率增高，工作磁通BⅢ变大，其磁滞损耗急剧增加．而为降低磁滞损耗
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