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重掺杂p-InP(Zn)中载流子补偿机制
的正电子湮没研究
陈志权，王柱，工少阶
(武汉大学物理系，武汉430072)
摘要本文测量了不同掺zn浓度的p捌InP材料中J[电子寿命随温度fn变
化。结果发现随着温度的上升，带负电荷的受主zn。会与带正电简的P空
何发生相互作用形成中性的缺陷复合体。同时还发现，缺陷复合体的形成与
载流予浓度密切相关，在重掺杂的材料一{，低濡r即可形成。文中讨论了神‘重
t{、缺陷复合体的形成与载流子饱和I见象的关系。
掺杂的p-lnP
II■■■■-■-■■I 关键词： 正电予湮没．磷化铟，载流子补偿
在制备P型lnP半导体柯十4中，zn是一种极好的杂质。然而，化学分析表明．当掺zn
的浓度超过一定的程度后，空穴浓度和zn的浓度之间就会出现编筹，空穴浓度达到饱和状
sCM’‘时，载流子浓度与zn的浓度相同，
态。Roksnoer等人…发现，当zn的浓度小丁5×joi
空位结合在一起，形成电中性的复台体。Gurp等人”’则认为Zn问隙原子作为施土，补偿部
分的受主，从而使空穴浓度小_丁zn的浓度。
本’1，中我们的目的就是乜玎究缺陷产生与载流子浓度饱和现象之间的关系．确定具体是
哪种机制导致重掺杂的p-InP中载流子浓度发生饱和。
一，实验方法
在本文中，我们选取了一批不同载流于浓度的P犁InP样t‰包括轻掺杂(载流子浓度
小r4x10Iscm。)和重掺杂InP。样『销切成10x10x0．6mmlflHH同两片供止电子寿命谱测舒。
正电子寿命谱仪采用快一快符合谱仪，其分辨率约为260ps，每个寿命谱总计数为
2x106。变温的正电子寿命谱采用液氮致冷温度装置测得。自动控温精度小丁IK。
二、结果分析和讨论
我们首先在常温下测量了这些样品的正电子寿命谱，并川PATFIT程序分析，所得结
果列于表1中。下面我们分*jI讨沦轻掺杂和重掺杂样品中的3ii!=粥及与杂质的相互作Jl{。
1程序分析的lr电子寿命结果。
表1．掺zn的P型InP样品特性参数及PATFI
测量温度为300K。
1．轻掺杂lnP中的zn与缺陷的相互作用
从表1可以看出．在所有的P型lnP中都存在两个寿命分量，而对丁轻掺杂的样品
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I■■■■■I一■●-一■■■■■■-一■●■■-■■■
I
I
I 模型计算得到的正电子体寿命约为238ps，这表明在这些InP样品中存在着空位型缺陷，与
以前的结果是一致的”J。由理论计算可知，在p-lnP中，P空位带lE电荷，只有In空忙捕获
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