LY12铝合金在不同溶液体系中的策弧氧化.pdfVIP

LYl2铝合金在不同溶液体系中的徽弧氧化 刘文亮 贝红斌 有色盘一爵究总t，北京10∞08 ■耍：奉文分析LYl2铂舍全在不一电一曩膏■生t曲●■氯化一，比麓了t曩氯化一摹魔在不一 潦麓中一对目的变化．量过扫描毫■(ssu)和电子冀钟(EP^)分析t■曩化一曲■■蛋簟构．化学鹰 分以及遣璺元曩在t■氯化一t酉布一位量静分布．实t肇暴衰啊t■氯化一的生长遗虔在不拜灌 液中各不相阿．照■度曩时一曲壹亿规簟叠奉翱一．从t一肇柑．化学成分和元素分布一分析可以 发曩：t蕾氯化晨可斟明量区分为曩謇和t格■屡。奉宴t童曩t鸯晨戚分幂受电鼻曩謦t髟一． 两只与薹体合盒成分有关；不同体薯毫一■善囊生虞曲■晨其一餐晨t分宪垒不一． 羌■Ill：幅古盒．■曩氯化，电■囊．化拳成分 一，蓠青 ’ 用投徽曩氯化在船合垒衰酉处曩中堪称为。万蠢。的技术．不仅可以墨供曩亮的外 观也可以大大改警镪台金的表面性蕾，如耐蚀性．爵●性和硬度等}这种阳撮囊曩氯 化是在电压一电瀛曲线的法拉第区进行的．而在嚣法拉第区I火花放电区．电曩区)将 发生徽■氯化膜击穿．导致囊曩氯化囊蕞坏．t曩氯化突蕞传统啊摄t■氯化的狠翻． 刺用电撮阃麓加往★电压时摄在电解藏中的电掇衰冒发生蠢曩放电现象。在镥和钍等 盒■表面生成t囊氯化膜。生成的囊曩氯化囊与基体结合牢嗣。结构蕞密。具有蠢好 的耐●摄．耐庸蚀，耐膏■冲击和绝簟辱特性．也有人将此技术霖为用撮火花沉积 Oxidation)[’周．徽曩 (AnodicSparkDeposition)或t等ill-I=体徽曩氯化(Mlcroplasrna 氯化技术突硅瞢通阳摄t甄氯化的限期，采用★电压，大电渡的工作方式，在■取多 功麓保护涂层方面获得越来越广泛的应用。在麓空．麓天．机械、电子，坊织等工业 镁冀有广■的应用麓曩。日盏弓|起人们的关注． 本文通过LYl2镥台垒在不髑体纛电解藏中生成蠢曩氯化曩分析电解藏对囊曩囊 化囊生长速度和结橱篝的髟晴。稠用扫描电予量纛■(SEU)．电子摄钟分折(EPA)等 方法研究了铝舍垒徽曩氯化晨的结构．纯掌戚分及备元素在t弧氯化曩中的分布． ：、实验方法 1试样翻备 奉实验10kW截甄氯亿装置由徽弧氯化电≮．电解糟．捷拌系统和冷却系统组成． 电藏(O一10A)和电压(O—eoov)穗定可调．电■藏■度30℃以下，在空气搅拌作用 柏 台盒耐蚀曩论羹丑奎第七一学木年全论文●(1998．10) 一 ——————————————_———_—————_—————_——————————_—————————————一一一 x 7ram的硬铝LYl2，试样经脱脂后在409；1 下电解液成分和温度均匀．试样采用中20 四种不同的溶液体系中进行徽弧氯化，这四种体系分别为氢徽曩氯化饷体系(1彤、铝 酸盐体系(2期．硅奠盐体摹《3掌)和肆馥盐体系《‘拳)。 2麓曩氯化囊厚度舅量 徽曩氯化膜厚度采用鲁国FISCHER公司的EIII漏漉穗厚仪蔼量．晨覃值为5个 嗣量点的平均值．先涓得总囊厚教据。再用缉砂蜒囊尊麓橙廖詹潮■毫赘屡厚度．两 者之羞为麓松屡厚度． 3徽曩氯化藤扫描电麓和电子探针分析’ 把试样沿垂直徽曩氯化基方向切开．奠嵌蠢光．由于t曩囊化一不导电，因此对 SEM样晶进行曩嵌处理．曩碳后的样品利用JSM840扫簟电■曩寨■囊蕾上t曩氯化 麒的量截结构．通过电子探钟(EPA)分析t曩氧化■的成份和缱扫擅誊． 三、实验结暴及讨论 1电解菠对擞弧囊化膜生成速度的影响 图1是LYl2铝合全在相同电压和温度下在柏 四种不周电解蒗中奠■奠豢曩氯化时闯的变化 ∞ 关系曲线．从田1中可以看捌。在四种奄■液中