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福建物理高考能力突破:9.4电磁感应规律的综合应用2.doc
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课时提能演练(二十九)
(40分钟 100分)
一、选择题(本大题共8小题,每小题9分,共72分.每小题只有一个选项正确)
1.(2012·济宁模拟)水平放置的金属框架cdef处于如图所示的匀强磁场中,金属棒ab处于粗糙的框架上且接触良好,从某时刻开始,磁感应强度均匀增大,金属棒ab始终保持静止,则( )
A.ab中电流增大,ab棒所受摩擦力增大
B.ab中电流不变,ab棒所受摩擦力不变
C.ab中电流不变,ab棒所受摩擦力增大
D.ab中电流增大,ab棒所受摩擦力不变
2.(预测题)如图所示,光滑的“”形金属导体框竖直放置,质量为m的金属棒MN与框架接触良好.磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反,但均垂直于框架平面,分别处于abcd和cdef区域.现从图示位置由静止释放金属棒MN,当金属棒刚进入磁场B1区域时,恰好做匀速运动.以下说法正确的是( )
A.若B2=B1,金属棒进入B2区域后将加速下滑
B.若B2=B1,金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑
C.若B2<B1,金属棒进入B2区域后可能先匀加速后匀速下滑
D.若B2>B1,金属棒进入B2区域后可能先匀减速后匀速下滑
3.(易错题)如图所示,平行金属导轨与水平面成θ角,导轨与固定电阻R1和R2相连,匀强磁场垂直穿过导轨平面.有一导体棒ab,质量为m,导体棒的电阻与固定电阻R1和R2的阻值均相等,与导轨之间的动摩擦因数为μ,导体棒ab沿导轨向上滑动,当上滑的速度为v时,受到安培力的大小为F,此时( )
A.电阻R1消耗的热功率为
B.电阻R2消耗的热功率为
C.整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvsinθ
D.整个装置消耗的机械功率为(F+μmgsinθ)v
4.(2012·福州模拟)如图所示,水平光滑的平行金属导轨,左端接有电阻R,匀强磁场B竖直向下分布在导轨所在的空间内,质量一定的金属棒PQ垂直导轨放置.今使棒以一定的初速度v0向右运动,当其通过位置a、b时,速率分别为va、vb,到位置c时棒刚好静止,设导轨与棒的电阻均不计,a到b与b到c的间距相等,则金属棒在由a到b和由b到c的两个过程中( )
A.回路中产生的内能相等
B.棒运动的加速度相等
C.安培力做功相等
D.通过棒横截面积的电荷量相等
5.(创新题)如图所示,竖直平面内的虚线上方是一匀强磁场B,从虚线下方竖直上抛一正方形线圈,线圈越过虚线进入磁场,最后又落回原处,运动过程中线圈平面保持在竖直平面内,不计空气阻力,则( )
A.上升过程克服磁场力做的功大于下降过程克服磁场力做的功
B.上升过程克服磁场力做的功等于下降过程克服磁场力做的功
C.上升过程克服重力做功的平均功率小于下降过程中重力的平均功率
D.上升过程克服重力做功的平均功率等于下降过程中重力的平均功率
6.(创新题)如图所示,正方形导线框abcd的边长为L=10 cm,线框平面位于竖直平面内,上下两边处于水平状态.当它从某高处落下时通过一匀强磁场,磁场方向垂直于线框平面,线框的ab边刚进入磁场时,由于安培力的作用使得线框恰能匀速运动.已知磁场的宽度h=4L,线框刚进入磁场时的速度v0=2.5 m/s.那么若以向下为力的正方向,则线框通过磁场区域过程中所受安培力的图象是以下四图中的( )
7.(2012·广州模拟)一导线弯成如图所示的闭合线圈,以速度v向左匀速进入磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直平面向外.线圈总电阻为R,从线圈进入磁场开始到完全进入磁场为止,下列结论正确的是( )
A.感应电流一直沿顺时针方向
B.线圈受到的安培力先减小,后增大
C.感应电动势的最大值E=Brv
D.穿过线圈某个横截面的电荷量为
8.(2012·龙岩模拟)如图甲所示,竖直向上的匀强磁场的磁感应强度B0=0.5 T,并且以=0.1 T/s的变化率均匀增加.图象如图乙所示,水平放置的导轨不计电阻,不计摩擦阻力,宽度L=0.5 m,在导轨上放着一金属棒MN,电阻R0=0.1 Ω,并且水平细线通过定滑轮悬吊着质量M=0.2 kg的重物.导轨上的定值电阻R=
0.4 Ω,与P、Q端点相连组成回路.又知PN长d=0.8 m.在重物被拉起的过程中,下列说法中正确的是( )
A.R中电流的方向由Q到P
B.电流的大小为0.1 A
C.从磁感应强度为B0开始计时,经过495 s的时间,金属棒MN恰能将重物拉起
D.电阻R上产生的热量约为16 J
二、非选择题(本大题共2小题,共28分,要有必要的文字说明和解题步骤,有数值计算的要注明单位)
9.(2011·天津高考)(14分)如图所示,两根足够长的光滑平行金
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