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第二节 有比逻辑
V V V
DD DD DD
电阻负载 耗尽型负载 PMOS负载
RL VT 0
V
SS
F F F
In 1 In 1 In 1
In2 PDN In2 PDN In2 PDN
In3 In3 In3
V V V
SS SS SS
(a) 电阻负载 (b) 耗尽型NMOS负载 (c) 伪NMOS
目的: 与互补CMOS相比可以减少器件的数目
2004 －10－27 数字大规模集成电路 清华大学微电子所 周润德 第六章（2 ）第 1 页
有比逻辑
V
DD
共 N 个晶体管 + 负载
Resistive
Load RL VOH = VDD
V = RPN
OL
F RPN + RL
In1 不对称响应
In2 PDN
t = 0.69 R C
In3 pL L L
有静态功耗
V
SS
2004 －10－27 数字大规模集成电路 清华大学微电子所 周润德 第六章（2 ）第 2 页
伪NMOS
( Pseudo-NMOS )
V
DD
F
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